[实用新型]电荷流元件、电荷留置电路和集成电路芯片有效
| 申请号： | 201320428471.3 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN203444766U | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | F·玛里内特;P·福尔纳拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷 元件 留置 电路 集成电路 芯片 | ||
1.一种电荷流元件，其特征在于，包括在绝缘支撑物上的第一电极、电介质层和第二电极的堆叠，所述电介质层具有能够通过隧道效应让电荷流动的至少一个部分，其中所述电极中的至少一个电极由未掺杂多晶硅制成。
2.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述电极之一由重掺杂多晶硅制成。
3.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，两个电极由未掺杂多晶硅制成。
4.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述电介质层包括氧化物-氮化物-氧化物堆叠，所述至少一个部分由氧化硅制成。
5.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，具有在所述两个电极之间的、范围在1*10-15与10*10-15法拉之间的电容。
6.一种电荷留置电路，其特征在于，所述电荷留置电路用于时间测量并且包括连接到根据权利要求1所述的电荷流元件的电容电荷存储元件。
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述电容电荷存储元件具有范围在10-12与100*10-12法拉之间的电容。
8.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，还包括连接到与所述存储元件和所述流元件共同的浮置节点的电容初始化元件。
9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述电容初始化元件具有范围在10*10-15与100*10-15法拉之间的电容。
10.一种集成电路芯片，其特征在于，所述集成电路芯片在半导体衬底以内和上面形成并且包括非易失性存储器单元、逻辑块和根据权利要求6所述的电路，所述逻辑块包括MOS晶体管。
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