[实用新型]半导体LED发光装置有效
| 申请号： | 201320288683.6 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN203325960U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王静娜 | 申请（专利权）人： | 王静娜 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315500 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体LED发光装置，包括基板(1)、多层晶体层(2)、光输出(3)层和金属电极(4)，多层晶体层(1)包括缓冲层(5)、第一半导体层(6)、第二半导体层(7)以及光发生层(8)，所述缓冲层(5)设置在基板(1)上，第一半导体层(6)设置在缓冲层(5)上，光发生层(8)设置在第一半导体层(6)上，第二半导体层(7)设置在光发生层(8)上，光输出层(3)设置在第二半导体层(7)上，电极(4)设置在光输出层(3)上。本实用新型提供的半导体LED发光装置进行了改造和设计，形成多层磊晶结构，并生成了一定厚度的金属氧化层，透光性好，光取率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 led 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体LED发光装置，包括基板(1)、多层晶体层(2)、光输出层(3)和金属电极(4)，其特征在于，所述多层晶体层(1)包括缓冲层(5)、第一半导体层(6)、第二半导体层(7)以及光发生层(8)，所述缓冲层(5)设置在基板(1)上，所述第一半导体层(6)设置在缓冲层(5)上，所述光发生层(8)设置在第一半导体层(6)上，所述第二半导体层(7)设置在所述光发生层(8)上，所述光输出层(3)设置在所述第二半导体层(7)上，所述电极(4)设置在光输出层(3)上。
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