[实用新型]半导体LED发光装置有效
| 申请号： | 201320288683.6 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN203325960U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王静娜 | 申请（专利权）人： | 王静娜 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315500 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 led 发光 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体LED发光装置，包括基板(1)、多层晶体层(2)、光输出层(3)和金属电极(4)，其特征在于，所述多层晶体层(1)包括缓冲层(5)、第一半导体层(6)、第二半导体层(7)以及光发生层(8)，所述缓冲层(5)设置在基板(1)上，所述第一半导体层(6)设置在缓冲层(5)上，所述光发生层(8)设置在第一半导体层(6)上，所述第二半导体层(7)设置在所述光发生层(8)上，所述光输出层(3)设置在所述第二半导体层(7)上，所述电极(4)设置在光输出层(3)上。
2.根据权利要求1所述的半导体LED发光装置，其特征在于，所述基板(1)厚度为500～800μm。
3.根据权利要求2所述的半导体LED发光装置，其特征在于，所述缓冲层(5)为低温缓冲层。
4.根据权利要求3所述的半导体LED发光装置，其特征在于，所述第一半导体(6)的厚度为7～10μm。
5.根据权利要求4所述的半导体LED发光装置，其特征在于，所述第二半导体(7)的厚度为2～4μm。
6.根据权利要求5所述的半导体LED发光装置，其特征在于，所述光输出层(3)为金属氧化层。
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