[实用新型]半导体LED发光装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光装置，尤其涉及一种半导体LED发光装置，属于半导体领域。

背景技术

半导体是人类当代工业发展中不可或缺的材料，通常意义上讲，半导体是指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。

半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的半导体材料特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。

20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。

由此可见，半导体材料在人类现代化工业生产中起着举足轻重的作用，而伴随着半导体材料进行的各种产品研发、应用、设计等都是科研人员孜孜以求的目标。伴随着半导体材料的发展，我们认为可以有更多的应用和推广。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，解决好现有技术的问题，弥补现有目前市场上现有产品的不足。

本实用新型提供了一种半导体LED发光装置，包括基板、多层晶体层、光输出层和金属电极，所述多层晶体层包括缓冲层、第一半导体层、第二半导体层以及光发生层，所述缓冲层设置在基板上，所述第一半导体层设置在缓冲层上，所述光发生层设置在第一半导体层上，所述第二半导体层设置在所述光发生层上，所述光输出层设置在所述第二半导体层上，所述电极设置在光输出层上。

优选地，上述基板厚度为500～800μm。

优选地，上述缓冲层为低温缓冲层。

优选地，上述第一半导体的厚度为7～10μm。

优选地，上述第二半导体的厚度为2～4μm。

优选地，上述光输出层为金属氧化层。

本实用新型提供的半导体LED发光装置与传统的装置相比，本实用新型提供的半导体LED发光装置进行了改造和设计，形成多层磊晶结构，并生成了一定厚度的金属氧化层，透光性好，光取率高等优点。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图中标记：1-基板；2-多层晶体层；3-光输出层；4-电极；5-缓冲层；6-第一半导体层；7-第二半导体层；8-光发生层。

具体实施方式

为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型，下面结合附图及具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。

如图1所示为本实用新型的半导体LED发光装置结构示意图，主体包括基板1、多层晶体层2、光输出层3和金属电极4。

其中，多层晶体层1包括缓冲层5、第一半导体层6、第二半导体层7以及光发生层8，所述缓冲层5设置在基板1上。

如图1所示，第一半导体层6设置在缓冲层5上，光发生层8设置在第一半导体层6上，所述第二半导体层7设置在所述光发生层8上，所述光输出层3设置在所述第二半导体层7上，所述电极4设置在光输出层3上。

对于各种部件的厚度，设计人员可以根据实际情况进行确定，经过试验，最佳的为基板1厚度为500～800μm，第一半导体6的厚度为7～10μm，第二半导体7的厚度为2～4μm。