[实用新型]热丝化学气相沉积装置有效
申请号: | 201320140915.3 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN203238326U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 吴向方;梁玉生;吴煦 | 申请(专利权)人: | 苏州圆芯光机电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种热丝化学气相沉积装置,包括电控柜,所述电控柜通过控制线分别连接有CVD镀膜室、冷水机和气源,所述CVD镀膜室分别与冷水机、气源相连接,所述CVD镀膜室上还连接有真空获得系统。本实用新型解决了现有技术中因基片上方温度不均匀而影响镀膜质量的问题,通过使热丝间、热丝与基片之间均保持相互平行,保证了基片台上方有均匀的温度场,增加了热丝的使用寿命,提高了沉积速率和成膜的一致性、均匀性,使镀膜均匀度小于3%,且本实用新型采用的真空获得系统的极限真空指标能够达到2×10ˉ5Pa,从而保证了成膜纯度,提高了镀膜质量。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种热丝化学气相沉积装置,包括电控柜,其特征在于:所述电控柜通过控制线分别连接有CVD镀膜室、冷水机和气源,所述CVD镀膜室分别与冷水机、气源相连接,所述CVD镀膜室上还连接有真空获得系统。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州圆芯光机电科技有限公司,未经苏州圆芯光机电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320140915.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种钝化槽槽液PH值的自动控制系统
- 下一篇:一种气体反应器内压强控制装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的