[实用新型]热丝化学气相沉积装置有效
申请号: | 201320140915.3 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN203238326U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 吴向方;梁玉生;吴煦 | 申请(专利权)人: | 苏州圆芯光机电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 沉积 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及了一种热丝化学气相沉积装置,尤其是一种高真空小型热丝化学气相沉积薄膜制备装置。
背景技术
热丝化学气相沉积是一种新型材料制备方法, 广泛应于于各种新材料的制备。目前国内技术领先厂家的产品结构通常为采用立式前开门结构,其热丝加热系统均无自动锁紧功能,当热丝加热到2000-2500oC时,热丝会因受热发生弯曲,变形现象,易损坏且造成基片上方温度不均匀,影响镀膜质量;衬底温度为600-1000oC;采用双层制冷方式时,沉积速率为1-10μm/h;基片台可升降、旋转;极限真空为2×10ˉ5Pa;镀膜均匀度小于5%。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种热丝化学气相沉积装置,能够有效提高沉积速率和成膜的一致性、均匀性,保证镀膜的均匀度,且延长了热丝的使用寿命。
为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:
一种热丝化学气相沉积装置,包括电控柜,所述电控柜通过控制线分别连接有CVD镀膜室、冷水机和气源,所述CVD镀膜室分别与冷水机、气源相连接,所述CVD镀膜室上还连接有真空获得系统。
前述的热丝化学气相沉积装置,其特征在于:所述CVD镀膜室由真空室、基片台和热丝加热系统组成,所述电控柜与热丝加热系统相连接。
前述的热丝化学气相沉积装置,其特征在于:所述热丝加热系统包括进气极板和热丝栅组成,所述热丝栅安装在所述进气极板与基片台之间。
前述的热丝化学气相沉积装置,其特征在于:所述热丝栅包括框架,所述框架的两端安装有带张力电极条,所述带张力电极条之间设置有若干根热丝。
前述的热丝化学气相沉积装置,其特征在于:所述CVD镀膜室通过硬聚氯乙烯管与所述水冷机相连接。
前述的热丝化学气相沉积装置,其特征在于:所述CVD镀膜室通过抛光不锈钢管与所述气源相连接。
前述的热丝化学气相沉积装置,其特征在于:所述CVD镀膜室通过波纹管与所述真空获得系统相连接。
本实用新型的有益效果是:通过使热丝间、热丝与基片之间均保持相互平行,保证了基片台上方有均匀的温度场,增加了热丝的使用寿命,提高了沉积速率和成膜的一致性、均匀性,使镀膜均匀度小于3%,且本实用新型采用的真空获得系统的极限真空指标能够达到2×10ˉ5Pa,从而保证了成膜纯度,提高了镀膜质量。
附图说明
图1是本实用新型热丝化学气相沉积装置的结构原理图;
图2是本实用新型热丝栅的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合说明书附图,对本实用新型作进一步的说明。
如图1和图2所示,一种热丝化学气相沉积装置,包括电控柜,所述电控柜通过控制线分别连接有CVD镀膜室、冷水机和气源,所述CVD镀膜室分别与冷水机、气源相连接,所述CVD镀膜室上还连接有真空获得系统,所述CVD镀膜室由真空室、基片台和热丝加热系统组成,所述电控柜与热丝加热系统相连接,所述热丝加热系统包括进气极板和热丝栅组成,所述热丝栅安装在所述进气极板与基片台之间(图中未示出)。
热丝栅包括框架4,所述框架4的两端安装有带张力电极条3,所述带张力电极条3之间通过热丝夹紧装置固定有若干根热丝2,在每根热丝2上悬挂重物(图中未示出),防止热丝2在高温下出现塌腰现象。
当热丝温度加热到2000oC-2500oC时,加装在热丝栅上的锁紧装置将自动拉紧热丝2,确保热丝间、基片与热丝间互相平行,保证了基片台上方有均匀的温度场,增加了热丝2使用寿命,提高了沉积速率和成膜的一致性,均匀性,且镀膜均匀度小于3%。而本装置其真空获得系统采用机械泵+分子泵结构,其极限真空指标能达到2×10-5Pa,从而保证成膜纯度,提高了镀膜质量。
CVD镀膜室通过硬聚氯乙烯管与所述水冷机相连接,CVD镀膜室通过抛光不锈钢管与所述气源相连接,CVD镀膜室通过波纹管与所述真空获得系统相连接。
下面以生产石墨烯为例进一步说明本装置的工作过程:
步骤1. 通过电控柜控制真空获得系统的机械泵,分子泵对CVD镀膜室抽真空,使CVD镀膜室达到工作真空;
步骤2. 通过电控柜控制气源的气体流量,经过抛光不锈钢管向CVD镀膜室通入含碳气体和氢气;
步骤3. 将基片台升至适宜高度;
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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