[实用新型]用于MOSFET开关器件电压选择的设备有效
| 申请号： | 201320131439.9 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN203261303U | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | N·加涅;科奈斯·P·斯诺登 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于MOSFET开关器件电压选择的设备。根据一个总的方面，一种用于MOSFET开关器件电压选择的设备包括第一电压轨以及第二电压轨。所述设备包括在第一电压轨和第二电压轨之间的第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）PMOS器件，其中第一PMOS器件配置为响应于第一PMOS器件被激活而将第一电压轨电连接于第二电压轨。所述设备还可以包括第二PMOS器件,第二PMOS器件配置为响应于第二PMOS器件被激活且第一PMOS器件被去激活，将由电荷泵器件产生的电荷泵电压提供给第二电压轨。所述设备还可以包括传输门以及连接于传输门的驱动器电路，驱动器电路配置为基于第二电压轨的电压操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mosfet 开关 器件 电压 选择 设备 | ||
【主权项】：
一种用于MOSFET开关器件电压选择的设备，包括： 第一电压轨； 第二电压轨； 第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）PMOS器件，其位于所述第一电压轨与所述第二电压轨之间，所述第一PMOS器件配置为响应于所述第一PMOS器件被激活而将所述第一电压轨电连接于所述第二电压轨； 第二PMOS器件，配置为响应于所述第二PMOS器件被激活且所述第一PMOS器件被去激活而向所述第二电压轨提供由电荷泵器件产生的电荷泵电压； 传输门；以及 驱动器电路，其连接于所述传输门，并配置为基于所述第二电压轨的电压而操作。
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