[实用新型]用于MOSFET开关器件电压选择的设备

权利要求书

1.一种用于MOSFET开关器件电压选择的设备，包括： 

第一电压轨； 

第二电压轨； 

第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）PMOS器件，其位于所述第一电压轨与所述第二电压轨之间，所述第一PMOS器件配置为响应于所述第一PMOS器件被激活而将所述第一电压轨电连接于所述第二电压轨； 

第二PMOS器件，配置为响应于所述第二PMOS器件被激活且所述第一PMOS器件被去激活而向所述第二电压轨提供由电荷泵器件产生的电荷泵电压； 

传输门；以及 

驱动器电路，其连接于所述传输门，并配置为基于所述第二电压轨的电压而操作。 

2.根据权利要求1所述的设备，进一步包括： 

第一组合逻辑部分，配置为响应于电荷泵控制信号指示所述电荷泵器件被禁用而触发所述第一PMOS器件的激活；以及 

第二组合逻辑部分，配置为响应于所述电荷泵控制信号指示所述电荷泵器件被禁用而触发所述第二PMOS器件的去激活。 

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述传输门配置为当被激活时将与信号发生器相关的第一节点电连接于与信号接收器相关的第二节点，并配置为当被去激活时将所述第一节点与所述第二节点电隔离。 

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一PMOS器件和所述第二PMOS器件在互斥的时段期间被激活。 

5.根据权利要求1所述的设备，进一步包括： 

电压选择器，其连接于所述第一电压轨，并配置为从一电压组选择最高电压，所述电荷泵电压高于所述电压组中的每个电压。 

6.根据权利要求1所述的设备，进一步包括： 

电压选择器，配置为从一电压组选择最高电压，并响应于所述第一PMOS器件被激活而将从所述电压组选择的最高电压通过所述第一电压轨施加于所述第二电压轨。 

7.根据权利要求1所述的设备，其中，当所述第一PMOS器件被激活并且所述第二PMOS被激活时，所述传输门基于所述第二电压轨的电压而被保持在激活状态中。 

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述驱动器电路为第一驱动器电路，所述第一驱动器电路配置为基于所述第二电压轨的电压激活所述传输门，并配置为基于地电压而去激活所述传输门， 

所述设备进一步包括： 

第二驱动器电路，配置为接收开关控制信号，所述开关控制信号配置为触发所述传输门的激活和去激活。 

9.根据权利要求8所述的设备，进一步包括： 

电平转换器，具有被所述第二驱动器电路触发的功能，并且配置为触发所述第一驱动器电路。 

10.根据权利要求1所述的设备，进一步包括： 

反相器，配置为响应于电荷泵控制信号具有使能值，基于所述电荷泵电压来提供高值，由所述反相器提供的电荷泵电压触发所述第一PMOS器件的去激活。 

11.一种用于MOSFET开关器件电压选择的设备，包括： 

第一电压轨； 

第二电压轨； 

传输门，具有连接于所述第二电压轨的栅极； 

P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）PMOS器件，其连接在所述第一电压轨和所述第二电压轨之间； 

电压选择器，连接于所述第二电压轨，并配置为通过所述PMOS器件和所 述第二电压轨而将来自一电压组中的一电压施加于所述传输门的栅极；以及 

电荷泵器件，配置为通过所述第二电压轨将电荷泵电压施加于所述传输门的栅极。 

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述传输门被由所述电压选择器施加的电压保持在导通状态中，并且被由所述电荷泵器件施加的电荷泵电压保持在导通状态中。 

13.根据权利要求11所述的设备，其中所述PMOS器件为第一PMOS器件， 

所述设备进一步包括： 

第二PMOS器件，连接于所述电荷泵器件，响应于所述第二PMOS器件被激活，所述电荷泵电压被施加于所述传输门的栅极，所述电荷泵电压大于来自所述电压组的每个电压。