[实用新型]用于MOSFET开关器件电压选择的设备

说明书

技术领域

本申请涉及与改进的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）开关器件相关的设备。 

背景技术

已知的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）开关器件会具有会不利地影响所述MOSFET开关器件的功能性的导通电容和/或导通电阻。例如，具有相对较高的导通电容和/或相对较高的导通电阻的MOSFET开关器件会使通过该MOSFET开关器件的信号衰减、在该信号中引入延迟或使该信号以其它方式失真。在已知的MOSFET开关器件处控制的信号的保真度会由于该MOSFET开关器件的导通电阻和/或导通电容处于不期望的水平而受损。此外，在该MOSFET开关器件内的杂散泄漏（stray leakage）会降低该MOSFET开关器件的整体性能。因此，存在对解决当前技术的不足并提供其它创新特征的系统、方法和设备的需要。 

实用新型内容

本实用新型的目的之一是提供一种用于MOSFET开关器件电压选择的设备。该设备能够，例如，提升该MOSFET开关器件的整体性能。 

根据一个总的方面，一种用于MOSFET开关器件电压选择的设备包括第一电压轨以及第二电压轨。所述设备包括在第一电压轨和第二电压轨之间的第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）PMOS器件，其中第一PMOS器件配置为响应于第一PMOS器件被激活而将第一电压轨电连接于第二电压轨。所述设备还可以包括第二PMOS器件,第二PMOS器件配置为响应于第二PMOS器件被激活且第一PMOS器件被去激活，将由电荷泵器件产生的电荷泵 电压提供给第二电压轨。所述设备还可以包括传输门以及连接于传输门的驱动器电路，驱动器电路配置为基于第二电压轨的电压操作。 

根据又一总的方面，一种用于MOSFET开关器件电压选择的设备可以包括第一电压轨、第二电压轨以及具有连接于第二电压轨的栅极的传输门。所述设备可以包括连接在第一电压轨和第二电压轨之间的PMOS器件以及连接于第二电压轨的电压选择器，所述电压选择器配置为通过PMOS器件以及第二电压轨将来自电压组的一电压施加于传输门的栅极。所述设备还可以包括电荷泵器件，所述电荷泵器件配置为通过第二电压轨将电荷泵电压施加于传输门的栅极。 

本实用新型提供的一种用于MOSFET开关器件电压选择的设备能够，例如，提升该MOSFET开关器件的整体性能。 

附图和以下描述给出了一种或多种实现的细节。其它特征将从说明书和附图以及权利要求中变得明显。 

附图说明

图1是描述根据一实施例的包括电压控制电路和开关电路的电荷泵开关的框图。 

图2是示出根据一实施例的电荷泵开关的实现的示意图。 

图3A至图3I是示出包括开关电路在内的电荷泵开关的操作的图。 

图4是示出根据一实施例的电荷泵开关的操作方法的流程图。 

图5是示出与图2中示出的电荷泵开关相关的断态泄露电流（off leakage current）的图。 

图6是示出与图2中示出的电荷泵开关相关的电荷泵泄漏电流的图。 

具体实施方式

图1是描述根据一实施例的包括电压控制电路110和开关电路120的电荷泵开关100的框图。如图1所示，电荷泵开关100连接于信号发生器180和信号接收器190。电荷泵开关100配置为当（例如响应于）电荷泵开关100被使 能（例如被接通、激活、改变到导通状态或直通（pass through）状态）时，使信号发生器180产生的数据信号12能通过电荷泵开关100到达信号接收器190。电荷泵开关100还配置为当电荷泵开关100被禁用（例如被关断、高阻抗、被去激活、改变到截止状态或切断状态）时，使信号发生器180产生的数据信号12不能通过电荷泵开关100到达信号接收器190。 

在一些实施例中，数据信号12中（自信号发生器180）进入电荷泵开关100的部分可被称为数据信号12的输入部分或输入数据信号，数据信号12中自电荷泵开关100出来（到达信号接收器190）（未示出）的部分可被称为数据信号12的输出部分或输出数据信号。在一些实施例中，开关电路120可被称为传输门（pass gate）电路。在一些实施例中，信号发生器180可被称为连接于电荷泵开关100的第一节点（例如端）（或输入节点），信号接收器190可被称为连接于电荷泵开关100的第二节点（或输出节点）。