[实用新型]一种VDMOS场效应晶体管优化结构有效
| 申请号： | 201320120487.8 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN203205423U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 林康生;谢名富 | 申请（专利权）人： | 博嘉圣（福州）微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350007 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种VDMOS场效应晶体管优化结构，其特征在于包括：第一金属电极，该第一金属电极作为该VDMOS场效应晶体管的漏极；N型衬底层，设置于所述第一金属电极上；N型外延层，设置于所述N型衬底层上；第一、二P型体硅，该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层内，第一终端截止环，嵌设在所述第一P型体硅内；第二终端截止环，嵌设在所述第二P型体硅内；多晶栅，设置于所述N型外延层上方；第二金属电极；第三金属电极；以及一绝缘层，覆盖在所述N型外延层上，且包覆所述的多晶栅、第二、三金属电极。本实用新型通过改进VDMOS场效应晶体管的结构以及精确控制结构参数实现该VDMOS场效应晶体管具有低导通电阻，能有效提高漏源之间的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 场效应 晶体管 优化结构 | ||
【主权项】：
一种VDMOS场效应晶体管优化结构，其特征在于包括：第一金属电极，该第一金属电极作为该VDMOS场效应晶体管的漏极；N型衬底层，设置于所述第一金属电极上；N型外延层，设置于所述N型衬底层上；第一、二P型体硅，该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层内，第一终端截止环，嵌设在所述第一P型体硅内；第二终端截止环，嵌设在所述第二P型体硅内；多晶栅，设置于所述N型外延层上方；第二金属电极，作为该VDMOS场效应晶体管的源极，该第二金属电极设置于所述N型外延层上，且靠近该N型外延层的一侧；第三金属电极，作为该VDMOS场效应晶体管的源极，该第三金属电极设置于所述N型外延层上，且靠近该N型外延层的另一侧；以及绝缘层，覆盖在所述N型外延层上，且包覆所述的多晶栅、第二、三金属电极。
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