[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201320118437.6 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203242636U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;P.加尼策尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件,包括:半导体本体;半导体本体中的单元区域和环绕单元区域的边缘区域，其中单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，沟槽场效应晶体管结构包括漏极区，漂移区，源极区，本体区,延伸穿过源极区与本体区并进入漂移区的沟槽,其中沟槽包括与半导体本体绝缘的第一栅极区；层间介电层；形成在边缘区域上并且与第一栅极区电连接的栅极条；插塞金属，其中插塞金属延伸穿过层间介电层中的接触孔并且电连接源极金属和源极区及本体区；并且其中插塞金属沿着层间介电层延伸进入边缘区域，插塞金属的至少一部分被配置成位于栅极条和漏极区之间用于屏蔽并且被配置成通过绝缘层与栅极条绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件, 其特征在于, 所述器件包括:半导体本体;所述半导体本体中的单元区域和环绕所述单元区域的边缘区域，其中所述单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，该沟槽场效应晶体管结构包括与所述半导体本体的第一表面邻接的漏极区(105,205)，在所述漏极区上具有第一导电类型的漂移区(110,210)，与所述半导体本体的第二表面邻接的具有所述第一导电类型的源极区(135,235)，形成在所述源极区与所述漂移区之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区（130,230）, 延伸穿过所述源极区与所述本体区并进入所述漂移区的沟槽, 其中所述沟槽包括与所述半导体本体绝缘的第一栅极区(125,225)；位于所述半导体本体的第二表面上的层间介电层(117, 227)；形成在所述边缘区域上并且与所述第一栅极区电连接的栅极条(155,255)；插塞金属(150，250)，其中所述插塞金属延伸穿过所述层间介电层中的接触孔并且电连接源极金属(145,245)和所述源极区及本体区；并且其中所述插塞金属沿着所述层间介电层延伸进入所述边缘区域，所述插塞金属的至少一部分被配置成位于所述栅极条和所述漏极区之间用于屏蔽并且被配置成通过绝缘层（118，218）与所述栅极条绝缘。
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