[实用新型]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件, 其特征在于, 所述器件包括:

半导体本体;

所述半导体本体中的单元区域和环绕所述单元区域的边缘区域，

其中所述单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，该沟槽场效应晶体管结构包括与所述半导体本体的第一表面邻接的漏极区(105,205)，在所述漏极区上具有第一导电类型的漂移区(110,210)，与所述半导体本体的第二表面邻接的具有所述第一导电类型的源极区(135,235)，形成在所述源极区与所述漂移区之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区（130,230）, 延伸穿过所述源极区与所述本体区并进入所述漂移区的沟槽, 其中所述沟槽包括与所述半导体本体绝缘的第一栅极区(125,225)；

位于所述半导体本体的第二表面上的层间介电层(117, 227)；

形成在所述边缘区域上并且与所述第一栅极区电连接的栅极条(155,255)；

插塞金属(150，250)，其中所述插塞金属延伸穿过所述层间介电层中的接触孔并且电连接源极金属(145,245)和所述源极区及本体区；并且其中所述插塞金属沿着所述层间介电层延伸进入所述边缘区域，所述插塞金属的至少一部分被配置成位于所述栅极条和所述漏极区之间用于屏蔽并且被配置成通过绝缘层（118，218）与所述栅极条绝缘。

2.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述单元区域的沟槽进一步包括形成在所述第一栅极区下方并与所述第一栅极区和所述半导体本体电绝缘的第一场板(120,220)。

3.如权利要求2所述的半导体器件, 其特征在于, 所述第一场板电连接到所述源极金属。

4.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述边缘区域进一步包括自所述第二表面延伸并进入到所述半导体本体的终止沟槽，其中所述终止沟槽包括与所述半导体本体绝缘的并通过屏蔽金属（251）与所述栅极条电连接的第二栅极区(254)。

5.如权利要求4所述的半导体器件, 其特征在于, 所述终止沟槽进一步包括形成在所述第二栅极区下方并与所述第二栅极区和所述半导体本体电绝缘的第二场板(253)。

6.如权利要求5所述的半导体器件, 其特征在于, 所述第二场板电连接到所述源极金属。

7.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述插塞金属包括金属层和其下方的阻挡层。

8.如权利要求1或7所述的半导体器件, 其特征在于, 至少沿着所述层间介电层的插塞金属的厚度小于200nm。

9.如权利要求8所述的半导体器件, 其特征在于, 至少沿着所述层间介电层的插塞金属的厚度小于100nm。

10.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述源极金属由多于一个层构成。

11.如权利要求10所述的半导体器件, 其特征在于, 所述源极金属由厚度为200nm 至5μm的铝层和其上的厚度为1μm至100μm的铜层构成。

12.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述栅极条由多于一个层构成。

13.如权利要求12所述的半导体器件, 其特征在于, 所述栅极条由厚度为200nm 至5μm的铝层和其上的厚度为1μm至100μm的铜层构成。

14.如权利要求1或2所述的半导体器件, 其特征在于, 所述漏极区具有第一导电类型，由此所述半导体器件构成MOSFET。

15.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述漏极区具有第二导电类型，由此所述半导体器件构成IGBT。