[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320118049.8 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203250747U | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | M.波尔兹尔;M.罗施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一区；位于所述第一区之上的第二导电类型的第二区；位于所述第二区之上的第一导电类型的第三区；以及从所述第三区的上表面嵌入在所述第三区、所述第二区、所述第一区中的多个沟槽，所述多个沟槽彼此间隔开，并且每个沟槽的底表面位于所述第一区中。相邻沟槽之间的半导体台面的宽度<400nm，并且沟道形成在所述第一导电类型的第一区和所述第一导电类型的第三区之间，所述沟道的长度<300nm。在这种情况下，可以获得最小的栅极长度，即栅极长度<350nm。采用本实用新型的半导体器件结构，能够降低器件的总导通电阻和栅极等效电容，从而能够改善器件性能，尤其是开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一区；位于所述第一区之上的第二导电类型的第二区；位于所述第二区之上的第一导电类型的第三区；以及从所述第三区的上表面嵌入在所述第三区、所述第二区、所述第一区中的多个沟槽，所述多个沟槽彼此间隔开，并且每个沟槽的底表面位于所述第一区中，其特征在于，相邻沟槽之间的半导体台面的宽度<400 nm，并且沟道形成在所述第一导电类型的第一区和所述第一导电类型的第三区之间，所述沟道的长度<300 nm。
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