[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320118049.8 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203250747U | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | M.波尔兹尔;M.罗施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1. 一种半导体器件，包括：
第一导电类型的第一区；
位于所述第一区之上的第二导电类型的第二区；
位于所述第二区之上的第一导电类型的第三区；以及
从所述第三区的上表面嵌入在所述第三区、所述第二区、所述第一区中的多个沟槽，所述多个沟槽彼此间隔开，并且每个沟槽的底表面位于所述第一区中，
其特征在于，相邻沟槽之间的半导体台面的宽度<400 nm，并且沟道形成在所述第一导电类型的第一区和所述第一导电类型的第三区之间，所述沟道的长度<300 nm。
2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述沟槽中的栅电极。
3. 根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅电极的长度<350 nm。
4. 根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述沟槽中并在所述栅电极和所述沟槽的底部之间延伸的源电极。
5. 根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述半导体台面上的用于第二区的接触的接触凹槽。
6. 根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是NMOSFET，所述第一导电类型是n型并且所述第二导电类型是p型，所述NMOSFET还包括位于所述第一区下面的第一导电类型的第四区，并且所述第一到第四区分别是：漂移区、体区、源区和漏区。
7. 根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是IGBT，所述IGBT还包括所述第一区下面的第二导电类型的第四区，并且所述第一到第四区分别是：漂移区、基极区、发射极区和集电极区。
8. 根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是MOSFET，所述MOSFET还包括位于所述第一区下面的第一导电类型的第四区，并且所述第一到第四区分别是：漂移区、体区、源区和漏区。
9. 根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第三区的高度在50 nm和300 nm之间。
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