[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310756195.8 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103904117A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李钟锡;洪坰国;千大焕;郑永均 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件包括：n+型碳化硅衬底；设置在该n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一p型柱状区和n‑型外延层；依次设置在n‑型外延层上的p型外延层和n+区；贯穿n+区和p型外延层且设置在n‑型外延层上的沟槽；设置在该沟槽内的栅极绝缘膜；设置在该栅极绝缘膜上的栅极；设置在该栅极上的氧化膜；设置在该p型外延层、n+区和氧化膜上的源极；以及位于n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极，其中第一p型柱状区设置在n‑型外延层内，并且第一P型柱状区设置在沟槽的下方且与沟槽间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：n+型碳化硅衬底；设置在所述n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一p型柱状区和n-型外延层；依次设置在所述n-型外延层上的p型外延层和n+区；贯穿所述n+区和所述p型外延层且设置在所述n-型外延层上的沟槽；设置在所述沟槽内的栅极绝缘膜；设置在所述栅极绝缘膜上的栅极；设置在所述栅极上的氧化膜；设置在所述p型外延层、n+区和氧化膜上的源极；以及位于所述n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极，其中所述第一p型柱状区设置在所述n-型外延层内，并且所述第一p型柱状区设置在所述沟槽的下方，与所述沟槽间隔开，其中所述第一p型柱状区设置在与所述沟槽的两个角之间的部分相对应的区域内。
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