[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

n+型碳化硅衬底；

设置在所述n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一p型柱状区和n-型外延层；

依次设置在所述n-型外延层上的p型外延层和n+区；

贯穿所述n+区和所述p型外延层且设置在所述n-型外延层上的沟槽；

设置在所述沟槽内的栅极绝缘膜；

设置在所述栅极绝缘膜上的栅极；

设置在所述栅极上的氧化膜；

设置在所述p型外延层、n+区和氧化膜上的源极；以及

位于所述n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极，其中

所述第一p型柱状区设置在所述n-型外延层内，并且

所述第一p型柱状区设置在所述沟槽的下方，与所述沟槽间隔开，其中所述第一p型柱状区设置在与所述沟槽的两个角之间的部分相对应的区域内。

2.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括以下步骤：

在n+型碳化硅衬底的第一表面上形成缓冲层图案，以露出所述n+型碳化硅衬底的第一表面的一部分；

通过在所述n+型碳化硅衬底的第一表面的露出部分上的第一外延生长，形成第一p型柱状区；

除去所述缓冲层图案，然后通过在所述第一p型柱状区和所述n+型碳化硅衬底的第一表面上的第二外延生长，形成n-型外延层；

通过在所述n-型外延层上的第三外延生长，形成p型外延层；

通过在所述p型外延层上的第四外延生长，形成n+区；以及

通过贯穿所述n+区和所述p型外延层并蚀刻所述n-型外延层的一部分，形成沟槽，

其中所述第一p型柱状区形成在所述沟槽的下方，且与所述沟槽间隔开。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一p型柱状区设置在与所述沟槽的两个角之间的部分相对应的区域内。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成第一p型柱状区的步骤还包括：

在所述n+型碳化硅衬底的第一表面上形成第二p型柱状区的步骤，所述第二p型柱状区与所述第一p型柱状区间隔开，且位于所述n-型外延层内。

5.根据权利要求4所述的方法，其中

所述第一p型柱状区和所述第二p型柱状区具有相同的宽度和长度，并且

所述第一p型柱状区和所述第二p型柱状区分别形成在与所述沟槽的两个角相对应的区域内。

6.根据权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：

在形成n+区的步骤之后，在所述沟槽内形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成栅极；

在所述栅极绝缘膜和所述栅极上形成氧化膜；以及

在所述p型外延层、n+区和氧化膜上形成源极，并且在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上形成漏极。