[发明专利]与包括半导体管芯的改进封装件相关的方法和装置有效
| 申请号： | 201310740963.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104112727B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | A·R·阿什拉芙扎德;V·G·乌拉尔;J·江;D·金泽;M·M·杜比;全五燮;吴宗麟;M·C·伊斯塔西欧 | 申请（专利权）人： | 费查尔德半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个一般方面中，一种方法可包括使用第一电镀工艺在基板上形成重新分布层以及使用第二电镀工艺在所述重新分布层上形成导电柱。所述方法可包括将半导体管芯耦合至所述重新分布层，并且可包括形成对所述重新分布层的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分进行包封的模塑层。 | ||
| 搜索关键词： | 重新分布层 半导体管芯 电镀工艺 导电柱 方法和装置 耦合 封装件 模塑层 包封 基板 改进 | ||
【主权项】：
一种半导体封装装置，包括：第一模塑层；第二模塑层；基板，其设置在所述第一模塑层与所述第二模塑层之间；电感部件，其设置在所述第二模塑层中；电容部件，其具有耦合至所述基板的至少一部分；半导体管芯，其设置在所述第一模塑层中并包括半导体器件，所述半导体器件电耦合至所述电容部件；重新分布层，其设置在所述第一模塑层中并耦合至所述基板；以及导电柱，其直接耦合至所述重新分布层使得所述重新分布层设置在所述基板与所述导电柱之间。
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