[发明专利]与包括半导体管芯的改进封装件相关的方法和装置有效
申请号: | 201310740963.0 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN104112727B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | A·R·阿什拉芙扎德;V·G·乌拉尔;J·江;D·金泽;M·M·杜比;全五燮;吴宗麟;M·C·伊斯塔西欧 | 申请(专利权)人: | 费查尔德半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/31 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 浦彩华;姚开丽 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重新分布层 半导体管芯 电镀工艺 导电柱 方法和装置 耦合 封装件 模塑层 包封 基板 改进 | ||
在一个一般方面中,一种方法可包括使用第一电镀工艺在基板上形成重新分布层以及使用第二电镀工艺在所述重新分布层上形成导电柱。所述方法可包括将半导体管芯耦合至所述重新分布层,并且可包括形成对所述重新分布层的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分进行包封的模塑层。
相关申请
本申请要求在2013年11月27日提交的、名称为“Methods and Apparatus Relatedto an Improved Package Including a Semiconductor Die”(与包括半导体管芯的改进封装件相关的方法和装置)的美国专利申请No.14/092,485的优先权及权益,美国专利申请No.14/092,485要求在2013年4月18日提交的、名称为“Methods and Apparatus Relatedto an Improved Package Including a Semiconductor Die”(与包括半导体管芯的改进封装件相关的方法和装置)的美国临时申请No.61/813,514的优先权及权益,所述两项美国专利申请全文均以引用方式并入本文中。
技术领域
本说明书涉及与包括半导体管芯的改进封装件相关的方法和装置。
背景技术
随着电子行业朝更小尺寸、更高效率以及更低成本的趋势发展,在包括电源管理空间在内的多种空间中,非常需要采用集成技术来制造更小、更智能且更有效率的产品。最高性能的器件(例如,电源器件)通常被分立地制造,而不是在集成电路(IC)工艺中被集成。生产这样的分立器件的成本可能是使用这样的复杂工艺生产的成本的一部分,因为分立器件中使用的掩模层通常是更复杂IC工艺中使用的掩模层的数量的一部分(例如,一半、三分之一)。许多已知的方法使用了例如引线框架封装件和铜夹来实现集成,但是此类封装件的缺点是成本较高、导热性能较差、电感系数较高、尺寸较大并且通常集成度较低。因此,需要解决现有技术的缺点并提供其他新的及创新性特征的系统、方法和装置。
发明内容
在一个一般方面中,一种方法可包括使用第一电镀工艺在基板上形成重新分布层以及使用第二电镀工艺在重新分布层上形成导电柱。所述方法可包括将半导体管芯耦合至重新分布层,并且可包括形成对重新分布层的至少一部分以及导电柱的至少一部分进行包封的模塑层。
在附图和以下描述中阐述了一个或多个具体实施的细节。其他特征将从描述及附图中以及从权利要求中显而易见。
附图说明
图1为示意图,示出了包括集成到封装件中的若干不同部件的器件的侧剖视图。
图2A为根据一个具体实施的器件或其一部分的侧剖视图。
图2B为根据一个具体实施的图2A所示器件的变型或其一部分的侧剖视图。
图2C为根据一个具体实施的图2A所示器件的另一变型或其一部分的侧剖视图。
图3A为根据一个具体实施的另一器件或其一部分的侧剖视图。
图3B为根据一个具体实施的图3A所示器件的变型或其一部分的侧剖视图。
图3C为根据一个具体实施的图3A所示器件的另一变型或其一部分的侧剖视图。
图4A为电感部件的绕组内的导体的俯视图。
图4B为电感部件的另一绕组内的导体的俯视图。
图5A为根据一个具体实施的又一器件或其一部分的侧剖视图。
图5B为示意图,示出了图5A所示电容部件及半导体管芯的等效电路。
图5C为图5A所示器件的一部分的变型的侧剖视图。
图6A到6G为侧剖视图,示出了根据一个具体实施的例如图3A到3C所示器件的形成。
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