[发明专利]用于钙钛矿基薄膜太阳电池的支架层及其制备方法

摘要

本发明提供了一种用于钙钛矿基薄膜太阳电池的支架层及其制备方法。用于钙钛矿基薄膜太阳电池的支架层，所述支架层具有多孔结构，以便在其中填充具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料；所述支架层由聚合物材料形成。本发明采用聚合物材料作为支架层制备钙钛矿基薄膜太阳电池，支架层材料不同于传统的无机宽禁带半导体和无机绝缘体。与现有的钙钛矿基薄膜太阳电池相比，本发明在支架层制备过程中，不需采用任何特殊的溶剂，或特殊的仪器设备，即可得到符合条件的多孔结构的支架层。制备支架层时不需要高温处理，在室温干燥即可，制备过程简单，易于操作。

主权项

一种钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：衬底；在所述衬底上形成的导电层；在所述导电层上形成的且为半导体材料的致密层；在所述致密层上形成的支架层；在所述支架层内填充的钙钛矿结构的有机金属半导体吸光层；在所述有机金属半导体吸光层上形成的空穴传输层；以及在所述空穴传输层上形成的对电极；其中，所述支架层具有多孔结构，以便在其中填充具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料；所述支架层由聚合物材料形成。