[发明专利]用于钙钛矿基薄膜太阳电池的支架层及其制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的导电层；

在所述导电层上形成的且为半导体材料的致密层；

在所述致密层上形成的支架层；

在所述支架层内填充的钙钛矿结构的有机金属半导体吸光层；

在所述有机金属半导体吸光层上形成的空穴传输层；以及

在所述空穴传输层上形成的对电极；

其中，所述支架层具有多孔结构，以便在其中填充具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料；所述支架层由聚合物材料形成。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述支架层由聚合物纳米材料形成。

3.根据权利要求2所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述聚合物纳米材料为纳米颗粒形式，所述纳米颗粒的粒径为30-200nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述聚合物材料为交联化聚合物材料。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述交联化聚合物材料包括交联聚苯乙烯、交联聚甲基丙烯酸甲酯、交联酚醛树脂中的一种或多种。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述支架层的厚度为200-1000nm。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，所述支架层的厚度为200-600nm。

8.一种制备用于钙钛矿基薄膜太阳电池的支架层的方法，所述钙钛矿基薄膜太阳电池包括致密层和形成在所述致密层上的支架层，所述支架层具有多孔结构，以便在其中填充具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料；所述方法包括：

将聚合物纳米材料均匀分散于有机溶剂中，以形成浆料；

将所述浆料覆盖在所述致密层上；和

将所述浆料进行干燥，以形成所述支架层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述浆料中所述聚合物纳米材料的质量百分比浓度为5-50％。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述浓度为20％。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述聚合物纳米材料为纳米颗粒。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒的粒径为30-200nm。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述聚合物纳米材料由耐所述有机溶剂的交联化聚合物形成。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述交联化聚合物包括交联聚苯乙烯、交联聚甲基丙烯酸甲酯、交联酚醛树脂中的一种或多种。

15.根据权利要求8-14中任一项所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂包括乙醇、甲醇、异丙醇、丙酮、1,4-二氧六环、乙腈、3-甲氧基丙腈、N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲亚砜、N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇。