[发明专利]一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置在审
申请号: | 201310722613.1 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103681696A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 刘翔 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于显示技术领域,具体涉及一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置。一种电极引出结构,包括衬底电极、隔离层和引出电极,所述隔离层位于所述衬底电极上方,所述引出电极位于所述隔离层上方,所述隔离层中开设有隔离层过孔或者所述隔离层部分覆盖所述衬底电极,所述引出电极覆盖所述隔离层过孔的孔壁和孔底,并沿所述隔离层过孔的上缘向远离所述隔离层过孔的方向与所述隔离层交叠。本发明的阵列基板由于采用了具有交叠结构的电极结构,使得水和氧的浓度梯度由外向内逐渐变小,可以有效地阻止外界的H2O和O2对金属氧化物的影响,使得采用金属氧化物半导体形成有源层的TFT的性能更稳定、信赖性更高,也同时增加了阵列基板的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 引出 结构 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种电极引出结构,包括衬底电极、隔离层和引出电极,所述隔离层位于所述衬底电极上方,所述引出电极位于所述隔离层上方,所述隔离层中开设有隔离层过孔或者所述隔离层部分覆盖所述衬底电极,其特征在于,所述引出电极覆盖所述隔离层过孔的孔壁和孔底,并沿所述隔离层过孔的上缘向远离所述隔离层过孔的方向与所述隔离层交叠;或者,所述引出电极覆盖所述隔离层的层壁,并沿所述隔离层层壁上缘向远离所述层壁的方向与所述隔离层的表面交叠,以及沿所述隔离层层壁下缘向远离所述层壁的方向与未被所述隔离层覆盖的所述衬底电极交叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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