[发明专利]一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示装置已日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD（Liquid Crystal Display：液晶显示装置）和OLED（Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管）显示装置。尤其是LCD平板显示装置，由于其具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示装置市场中占据了主导地位。

其中，LCD和OLED显示装置中均设置有薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT），TFT作为驱动元件，在LCD和OLED显示装置中发挥着至关重要的作用。近年来平板显示技术获得了飞速的发展，其尺寸和分辨率不断地提高，大尺寸、高分辨率的显示装置成为主流方向。为了适应不断增大的尺寸和不断提高的分辨率，必须采用更高频率的驱动电路，以避免控制信号和图像信号的延迟。目前，信号延迟已成为制约大尺寸、高分辨率平板显示效果的关键因素之一。

为提高驱动电路的频率，针对制备TFT的材料做了多次改进。经研究发现，现有最常采用的非晶硅制备形成的薄膜晶体管的迁移率已经很难满足驱动需求，例如：非晶硅薄膜晶体管的迁移率一般为0.5cm²/v.s左右，而尺寸超过80英寸、驱动频率为120Hz的LCD，需要1cm²/v.s以上的迁移率。而对于多晶硅薄膜晶体管，尽管研究比较早，但是多晶硅薄膜晶体管的均一性差，制作工艺复杂。相比之下，金属氧化物半导体是新兴的TFT制备材料，金属氧化物TFT迁移率高、均一性好、制作工艺简单、成本低、适合大面积成膜，非常适合大尺寸平板显示技术，可以更好地满足LCD和OLED显示装置大尺寸、高刷新频率的需求。

目前研究最多的金属氧化物半导体是铟镓锌氧化物（IGZO）半导体，IGZO一般为非晶结构，很容易被酸溶液刻蚀掉。而在TFT结构中，一般采用Mo、Al等金属形成电极，在电极制备过程中，使用酸溶液进行刻蚀以形成相应的层结构图形。因而，电极形成过程中不可避免地会对金属氧化物半导体造成腐蚀，因此需要在金属半导体层与电极之间增加刻蚀阻挡层来保护金属氧化物半导体不被形成电极图形的刻蚀液腐蚀。

而且，金属氧化物半导体对外界的水和氧（H₂O和O₂）非常敏感，外界的水和氧扩散到金属氧化物半导体TFT中，将使得TFT的电学性能发生改变，直接影响金属氧化物半导体的稳定性和信赖性，导致TFT的性能急剧恶化，影响到显示装置的显示效果。

目前，形成有TFT矩阵的阵列基板（Array）中，为保证TFT沟道的正常形成，需在刻蚀阻挡层中开设过孔使得电极与金属氧化物半导体接触，过孔的开设，使得水和氧有可能沿着过孔孔间隙渗入TFT内部对金属氧化物半导体造成影响；同时，为便于显示信号的接入和测试信号的接入，还在非显示区设置有源极数据信号接入端（如图1所示）和源极连接板SD PAD（作为源极数据信号与源极驱动电路之间的桥接，如图2所示）、栅极扫描信号接入端（如图3所示）和栅极连接板Gate PAD（作为栅极扫描信号与栅极驱动电路之间的桥接，如图4所示）。在上述信号接入端和PAD结构中，均包括底部的电极和设置于电极上方的绝缘层，电极仅简单的引出到绝缘层的表面，由于电极在通过绝缘层中的过孔进行电连接时，仍有部分面积裸露在空气中，外界的水和氧容易通过孔间隙渗入到TFT的内部，扩散到金属氧化物半导体层，对金属氧化物半导体TFT的稳定性造成影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述步骤，提供一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置，该电极引出结构采用了交叠结构，对处于隔离层下方的结构层起到良好的保持密封的作用。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该电极引出结构，包括衬底电极、隔离层和引出电极，所述隔离层位于所述衬底电极上方，所述引出电极位于所述隔离层上方，所述隔离层中开设有隔离层过孔或者所述隔离层部分覆盖所述衬底电极，其中：所述引出电极覆盖所述隔离层过孔的孔壁和孔底，并沿所述隔离层过孔的上缘向远离所述隔离层过孔的方向与所述隔离层交叠；或者，所述引出电极覆盖所述隔离层的层壁，并沿所述隔离层层壁上缘向远离所述层壁的方向与所述隔离层的表面交叠，以及沿所述隔离层层壁下缘向远离所述层壁的方向与未被所述隔离层覆盖的所述衬底电极交叠。