[发明专利]一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种电极引出结构，包括衬底电极、隔离层和引出电极，所述隔离层位于所述衬底电极上方，所述引出电极位于所述隔离层上方，所述隔离层中开设有隔离层过孔或者所述隔离层部分覆盖所述衬底电极，其特征在于，

所述引出电极覆盖所述隔离层过孔的孔壁和孔底，并沿所述隔离层过孔的上缘向远离所述隔离层过孔的方向与所述隔离层交叠；或者，

所述引出电极覆盖所述隔离层的层壁，并沿所述隔离层层壁上缘向远离所述层壁的方向与所述隔离层的表面交叠，以及沿所述隔离层层壁下缘向远离所述层壁的方向与未被所述隔离层覆盖的所述衬底电极交叠。

2.根据权利要求1所述的电极引出结构，其特征在于，所述引出电极沿所述隔离层过孔的上缘向远离所述隔离层过孔的方向与所述隔离层交叠的半径范围为0.2-200μm；或者，所述引出电极沿所述隔离层层壁上缘向远离所述层壁的方向与所述隔离层的表面交叠的半径范围为0.2-200μm，和/或，所述引出电极沿所述隔离层层壁下缘向远离所述层壁的方向与未被所述隔离层覆盖的所述衬底电极交叠。

3.一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的电极引出结构，所述阵列基板包括显示区和非显示区，其特征在于，所述电极引出结构采用权利要求1-2任一项所述的电极引出结构，所述电极引出结构设置于所述阵列基板的显示区和/或非显示区。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区内设置有多个像素单元，所述像素单元包括栅极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源极和漏极，所述衬底电极包括所述有源层，所述引出电极包括所述源极与所述漏极，所述隔离层包括所述刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层中开设有第一刻蚀阻挡层过孔和第二刻蚀阻挡层过孔，所述源极覆盖所述第一刻蚀阻挡层过孔的孔壁和孔底并与所述有源层接触，所述漏极覆盖所述第二刻蚀阻挡层过孔的孔壁和孔底并与所述有源层接触；同时，所述源极沿所述第一刻蚀阻挡层过孔的上缘向远离所述第一刻蚀阻挡层过孔的方向与所述刻蚀阻挡层交叠，和/或，所述漏极沿所述第二刻蚀阻挡层过孔的上缘向远离所述第二刻蚀阻挡层过孔的方向与所述刻蚀阻挡层交叠。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述源极沿所述第一刻蚀阻挡层过孔的上缘向远离所述第一刻蚀阻挡层过孔的方向与所述刻蚀阻挡层交叠的半径范围为0.2-8μm；和/或，所述漏极沿所述第二刻蚀阻挡层过孔的上缘向远离所述第二刻蚀阻挡层过孔的方向与所述刻蚀阻挡层交叠的半径范围为0.2-8μm。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括设置于所述源极和所述漏极上方的钝化层和像素电极，所述引出电极还包括像素电极，所述隔离层还包括钝化层，所述钝化层在对应着所述漏极的区域开设有钝化层过孔，所述像素电极覆盖所述钝化层过孔的孔壁和孔底并与所述漏极接触，所述像素电极沿所述钝化层过孔的上缘向远离所述钝化层过孔的方向与所述钝化层交叠。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极沿所述钝化层过孔的上缘向远离所述钝化层过孔的方向与所述钝化层交叠的半径范围为2-200μm。

8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区设置有电极连接板，所述电极连接板包括走线电极以及设置于所述走线电极上方的电极保护层和信号引出电极，所述衬底电极包括所述走线电极，所述引出电极包括所述信号引出电极，所述隔离层包括所述电极保护层，所述电极保护层部分覆盖所述走线电极，所述信号引出电极包覆所述电极保护层的层壁，并沿所述电极保护层层壁的上缘向远离所述层壁的方向与所述电极保护层的表面交叠，以及沿所述电极保护层层壁的下缘向远离所述层壁的方向与未被所述电极保护层覆盖的所述走线电极交叠；

或者，所述电极保护层完全覆盖所述走线电极，所述电极保护层中开设有电极保护层过孔，所述信号引出电极覆盖所述电极保护层过孔的孔壁和孔底且与所述走线电极接触，并沿所述电极保护层过孔的上缘向远离所述电极保护层过孔的方向与所述电极保护层交叠。