[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号: | 201310717908.X | 申请日: | 2013-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN103681514A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘圣烈 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板制作方法,包括步骤:S1:在衬底基板上形成包括有源层、像素电极及数据线的图形,使有源层和像素电极位于同一层,且相互连接,数据线位于有源层之上;S2:在有源层、像素电极及数据线的图形之上形成包括栅绝缘层及其上的至少两个栅极过孔的图形,使栅极过孔位于栅绝缘层上对应有源层周围且不与像素电极和数据线所在区域交叠的区域栅极过孔与有源层、像素电极及数据线之间均间隔有栅绝缘层;S3:形成包括栅线和至少两个栅极的图形,使至少两个栅极连接栅线,且分别位于至少两个栅极过孔。还公开了一种阵列基板及显示装置。本发明相对于现有技术节省了制作工艺及制作成本。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括步骤:S1:在衬底基板上形成包括有源层、像素电极及数据线的图形,使有源层和像素电极位于同一层,且相互连接,数据线位于所述有源层之上;S2:在有源层、像素电极及数据线的图形之上形成包括栅绝缘层及其上的至少两个栅极过孔的图形,使所述栅极过孔位于所述栅绝缘层上对应有源层周围且不与所述像素电极和数据线所在区域交叠的区域所述栅极过孔与所述有源层、像素电极及数据线之间均间隔有所述栅绝缘层;S3:形成包括栅线和至少两个栅极的图形,使所述至少两个栅极连接所述栅线,且分别位于所述至少两个栅极过孔中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





