[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

对于现有氧化物薄膜晶体管（Oxide TFT），为了提高薄膜晶体管（TFT）的稳定性，TFT采用双栅（Dual gate，即两个栅极）结构。如图1所示，TFT结构中包括两个栅极，位于顶部的顶栅1和位于底部的底栅2，顶栅1和底栅2之间是栅绝缘层和氧化物形成的有源层。顶栅1和底栅2同时开启TFT。双栅结构相对于单个栅极有如下优势：沟道在上下两侧分别形成，使得Ion电流增大，相应地可以减少TFT大小（可提高透过率）；同时，采用氧化物半导体层时，栅金属可以在半导体层两侧对氧化物进行遮挡保护，防止外部光射入到半导体层而产生漏电流的现象，进而改善了残像等不良的发生。

包括这种双栅结构TFT阵列基板的制作相对于单个栅极结构TFT的阵列基板的制作工艺较复杂，需要增加一层栅极层，因此制作工序相应也需要增加。制作图1中的TFT的阵列基板需要7次mask（掩膜）工艺（7次mask由下至上分别是：底栅、有源层、顶栅栅绝缘层过孔、顶栅及源漏连接电极、绝缘层及其上过孔、数据线及源极、像素电极，图1中只示出了顶栅及其以下结构），而且一次mask工艺的制作成本高，导致现有的包括双栅结构TFT的阵列基板制作工序复杂，且成本高。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何减少双栅结构TFT阵列基板的制作工序及制作成本。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板制作方法，包括步骤：

S1：在衬底基板上形成包括有源层、像素电极及数据线的图形，使有源层和像素电极位于同一层，且相互连接，数据线位于所述有源层之上；

S2：在有源层、像素电极及数据线的图形之上形成包括栅绝缘层及其上的至少两个栅极过孔的图形，使所述栅极过孔位于所述栅绝缘层上对应有源层周围且不与所述像素电极和数据线所在区域交叠的区域所述栅极过孔与所述有源层、像素电极及数据线之间均间隔有所述栅绝缘层；

S3：形成包括栅线和至少两个栅极的图形，使所述至少两个栅极连接所述栅线，且分别位于所述至少两个栅极过孔中。

其中，所述步骤S1具体包括：

在所述衬底基板上依次形成氧化物半导体薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成氧化物半导体层和数据线的图形；

对所述氧化物半导体层上对应所述像素电极的区域进行等离子处理，以形成所述像素电极，所述氧化物半导体层上的其它区域形成有源层，使所述数据线位于有源层之上。

其中，所述步骤S2具体包括：

在有源层、像素电极及数据线的图形之上形成栅绝缘薄膜；

通过构图工艺在所述栅绝缘薄膜上对应有源层周围且不与所述像素电极和数据线所在区域交叠的区域形成至少两个栅极过孔，使所述栅极过孔与所述有源层、像素电极及数据线之间均间隔有所述栅绝缘层。

其中，所述栅绝缘薄膜的厚度为

其中，所述至少两个栅极过孔与所述有源层之间的栅绝缘层厚度均为

其中，所述步骤S3中，在形成至少两个栅极时，至少一个栅极形成栅极延伸部，所述栅极延伸部延伸至所述有源层的上方未被所述数据线覆盖的区域，且所述栅极延伸部所在区域与所述数据线所在区域不交叠。

其中，所述步骤S2中形成两个栅极过孔：第一过孔和第二过孔，所述步骤S3中，对于每一个像素单元形成一条栅线及与所述栅线连接的两个栅极：第一栅极和第二栅极，使所述第一栅极位于所述第一栅极过孔中，使所述第二栅极位于所述第二栅极过孔中。

其中，所述步骤S2中形成两个栅极过孔：第一过孔和第二过孔，所述步骤S3中，对于每一个像素单元形成两条栅线：第一栅线和第二栅线，形成两个栅极：第一栅极和第二栅极，使所述第一栅极连接第一栅线，且位于所述第一栅极过孔中，使所述第二栅极连接第二栅线，且位于所述第二栅极过孔中。

本发明还提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、像素电极、有源层、数据线、栅绝缘层及栅金属层，所述像素电极和有源层位于所述衬底基板之上，且相互连接，所述数据线位于有源层之上，所述栅绝缘层覆盖在所述衬底基板、像素电极、有源层及数据线之上，所述栅绝缘层上对应有源层周围且不与所述像素电极和数据线所在区域交叠的区域形成有至少两个栅极过孔，所述栅极过孔与所述有源层、像素电极及数据线之间均间隔有所述栅绝缘层；