[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1：在衬底基板上形成包括有源层、像素电极及数据线的图形，使有源层和像素电极位于同一层，且相互连接，数据线位于所述有源层之上；

S2：在有源层、像素电极及数据线的图形之上形成包括栅绝缘层及其上的至少两个栅极过孔的图形，使所述栅极过孔位于所述栅绝缘层上对应有源层周围且不与所述像素电极和数据线所在区域交叠的区域所述栅极过孔与所述有源层、像素电极及数据线之间均间隔有所述栅绝缘层；

S3：形成包括栅线和至少两个栅极的图形，使所述至少两个栅极连接所述栅线，且分别位于所述至少两个栅极过孔中。

2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

在所述衬底基板上依次形成氧化物半导体薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成氧化物半导体层和数据线的图形；

对所述氧化物半导体层上对应所述像素电极的区域进行等离子处理，以形成所述像素电极，所述氧化物半导体层上的其它区域形成有源层，使所述数据线位于有源层之上。

3.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

在有源层、像素电极及数据线的图形之上形成栅绝缘薄膜；

通过构图工艺在所述栅绝缘薄膜上对应有源层周围且不与所述像素电极和数据线所在区域交叠的区域形成至少两个栅极过孔，使所述栅极过孔与所述有源层、像素电极及数据线之间均间隔有所述栅绝缘层。

4.如权利要求3所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述栅绝缘薄膜的厚度为

5.如权利要求3所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述至少两个栅极过孔与所述有源层之间的栅绝缘层厚度为均

6.如权利要求3所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，在形成至少两个栅极时，至少一个栅极形成栅极延伸部，所述栅极延伸部延伸至所述有源层的上方未被所述数据线覆盖的区域，且所述栅极延伸部所在区域与所述数据线所在区域不交叠。

7.如权利要求1～6中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S2中形成两个栅极过孔：第一过孔和第二过孔，所述步骤S3中，对于每一个像素单元形成一条栅线及与所述栅线连接的两个栅极：第一栅极和第二栅极，使所述第一栅极位于所述第一栅极过孔中，使所述第二栅极位于所述第二栅极过孔中。

8.如权利要求1～6中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S2中形成两个栅极过孔：第一过孔和第二过孔，所述步骤S3中，对于每一个像素单元形成两条栅线：第一栅线和第二栅线，形成两个栅极：第一栅极和第二栅极，使所述第一栅极连接第一栅线，且位于所述第一栅极过孔中，使所述第二栅极连接第二栅线，且位于所述第二栅极过孔中。

9.一种阵列基板，包括：衬底基板、像素电极、有源层、数据线、栅绝缘层及栅金属层，其特征在于，所述像素电极和有源层位于所述衬底基板之上，且相互连接，所述数据线位于有源层之上，所述栅绝缘层覆盖在所述衬底基板、像素电极、有源层及数据线之上，所述栅绝缘层上对应有源层周围且不与所述像素电极和数据线所在区域交叠的区域形成有至少两个栅极过孔，所述栅极过孔与所述有源层、像素电极及数据线之间均间隔有所述栅绝缘层；

所述栅金属层包括：栅线及至少两个栅极，所述至少两个栅极连接所述栅线，且分别位于所述至少两个栅极过孔中。

10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度为

11.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述至少两个栅极过孔与所述有源层之间的栅绝缘层厚度均为

12.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述至少两个栅极中的至少一个栅极形成有栅极延伸部，所述栅极延伸部延伸至所述有源层的上方未被所述数据线覆盖的区域，且所述栅极延伸部所在区域与所述数据线所在区域不交叠。

13.如权利要求9～12中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述至少两个栅极过孔为两个栅极过孔：第一过孔和第二过孔，对于每一个像素单元，栅金属层包括：一条栅线及与所述栅线连接的两个栅极：第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于所述第一栅极过孔中，所述第二栅极位于所述第二栅极过孔中。