[发明专利]EEPROM存储器

摘要

本发明公开了一种EEPROM存储器，包括两个非挥发性晶体管和两个选通晶体管，非挥发性晶体管和选通晶体管的栅极分别连接第一和第二字线；第一非挥发性晶体管和第一选通晶体管的源漏极串接在源线和第一位线之间，第二非挥发性晶体管和第二选通晶体管的源漏极串接在源线和第二位线之间，单元结构的1或0由第一非挥发性晶体管和第二非挥发性晶体管的信息组合（1，0）或（0，1）定义，通过读取第一和二位线的电位差实现对单元结构的读取。本发明呈差分结构且通过电压检测方式读取信息，读取方式简单、能简化外围的读取电路，能提高存储器的EOL的读写窗口、提高可靠性，能降低存储器的面积、提高集成度，能提高存储器的读取速度。

主权项

一种EEPROM存储器，其特征在于，EEPROM存储器的单元结构包括两个非挥发性晶体管和两个选通晶体管，令两个所述非挥发性晶体管分别为第一非挥发性晶体管和第二非挥发性晶体管，令两个所述选通晶体管分别为第一选通晶体管和第二选通晶体管；两个所述非挥发性晶体管的栅极都连接相同的第一字线，两个所述选通晶体管的栅极都连接相同的第二字线；所述第一非挥发性晶体管的漏极连接第一位线，所述第一选通晶体管的源漏极连接在所述第一非挥发性晶体管的源极和源线之间，所述第二非挥发性晶体管的漏极连接第二位线，所述第二选通晶体管的源漏极连接在所述第二非挥发性晶体管的源极和源线之间；或者，所述第一非挥发性晶体管和所述第二非挥发性晶体管的源极都连接所述源线，所述第一选通晶体管的源漏极连接在所述第一非挥发性晶体管的漏极和所述第一位线之间，所述第二选通晶体管的源漏极连接在所述第二非挥发性晶体管的漏极和所述第二位线之间；所述单元结构通过两个所述非挥发性晶体管所存储的信息的组合实现信息存储，由所述第一非挥发性晶体管所存储的信息1和所述第二非挥发性晶体管所存储的信息0的组合形成所述单元结构所存储的信息1或0中的一个，由所述第一非挥发性晶体管所存储的信息0和所述第二非挥发性晶体管所存储的信息1的组合形成所述单元结构所存储的信息1或0中的另一个；在读取状态下，两个所述选通晶体管导通，所述第一位线和所述源线之间的导通关系由所述第一非挥发性晶体管所存储的信息决定，所述第二位线和所述源线之间的导通关系由所述第二非挥发性晶体管所存储的信息决定，在所述单元结构所存储的信息为1或0时，所述第一位线和所述第二位线中有一根和所述源线连通并使相连的两根线的电位相等、所述第一位线和所述第二位线中另一根和所述源线不连通，通过读取所述第一位线和所述第二位线的电位差实现所述单元结构所存储的信息1或0的读取。