[发明专利]EEPROM存储器

权利要求书

1.一种EEPROM存储器，其特征在于，EEPROM存储器的单元结构包括两个非挥发性晶体管和两个选通晶体管，令两个所述非挥发性晶体管分别为第一非挥发性晶体管和第二非挥发性晶体管，令两个所述选通晶体管分别为第一选通晶体管和第二选通晶体管；

两个所述非挥发性晶体管的栅极都连接相同的第一字线，两个所述选通晶体管的栅极都连接相同的第二字线；

所述第一非挥发性晶体管的漏极连接第一位线，所述第一选通晶体管的源漏极连接在所述第一非挥发性晶体管的源极和源线之间，所述第二非挥发性晶体管的漏极连接第二位线，所述第二选通晶体管的源漏极连接在所述第二非挥发性晶体管的源极和源线之间；或者，所述第一非挥发性晶体管和所述第二非挥发性晶体管的源极都连接所述源线，所述第一选通晶体管的源漏极连接在所述第一非挥发性晶体管的漏极和所述第一位线之间，所述第二选通晶体管的源漏极连接在所述第二非挥发性晶体管的漏极和所述第二位线之间；

所述单元结构通过两个所述非挥发性晶体管所存储的信息的组合实现信息存储，由所述第一非挥发性晶体管所存储的信息1和所述第二非挥发性晶体管所存储的信息0的组合形成所述单元结构所存储的信息1或0中的一个，由所述第一非挥发性晶体管所存储的信息0和所述第二非挥发性晶体管所存储的信息1的组合形成所述单元结构所存储的信息1或0中的另一个；

在读取状态下，两个所述选通晶体管导通，所述第一位线和所述源线之间的导通关系由所述第一非挥发性晶体管所存储的信息决定，所述第二位线和所述源线之间的导通关系由所述第二非挥发性晶体管所存储的信息决定，在所述单元结构所存储的信息为1或0时，所述第一位线和所述第二位线中有一根和所述源线连通并使相连的两根线的电位相等、所述第一位线和所述第二位线中另一根和所述源线不连通，通过读取所述第一位线和所述第二位线的电位差实现所述单元结构所存储的信息1或0的读取。

2.如权利要求1所述EEPROM存储器，其特征在于：所述EEPROM存储器的阵列结构由多个所述单元结构按照行列结构排列形成，排列结构为：

所述第一位线和所述第二位线都为列线，位于同一列的各所述单元结构的所述第一位线都连接在一起，位于同一列的各所述单元结构的所述第二位线都连接在一起；

所述第一字线和所述第二字线都为行，位于同一行的各所述单元结构的所述第一字线之间不形成连接，位于同一行的各所述单元结构的所述第二字线都连接在一起；

所述源线为列线，位于同一列的各所述单元结构的所述源线都连接在一起；或者，所述源线为行线，位于同一行的各所述单元结构的所述源线都连接在一起。

3.如权利要求1所述EEPROM存储器，其特征在于：两个所述选通晶体管都由NMOS晶体管组成，两个所述非挥发性晶体管都由非挥发性NMOS晶体管组成。

4.如权利要求3所述EEPROM存储器，其特征在于：各所述非挥发性晶体管的编程条件为：通过所述第一字线在所述非挥发性晶体管的栅极加正电压，通过对应的所述第一位线或第二位线在所述非挥发性晶体管的漏极加负电压，所述源线浮置，所述非挥发性晶体管的源极浮置，利用所述非挥发性晶体管的栅极和漏极之间的正电压和负电压差实现将电子注入到所述非挥发性晶体管的浮栅中从而实现所述非挥发性晶体管的编程。

5.如权利要求3所述EEPROM存储器，其特征在于：各所述非挥发性晶体管的擦除条件为：通过所述第一字线在所述非挥发性晶体管的栅极加负电压，通过对应的所述第一位线或第二位线在所述非挥发性晶体管的漏极加正电压，所述源线浮置，所述非挥发性晶体管的源极浮置，利用所述非挥发性晶体管的栅极和漏极之间的负电压和正电压差实现将所述非挥发性晶体管的浮栅中所存储的电子擦除。

6.如权利要求1所述EEPROM存储器，其特征在于：两个所述选通晶体管都由PMOS晶体管组成，两个所述非挥发性晶体管都由非挥发性PMOS晶体管组成。

7.如权利要求6所述EEPROM存储器，其特征在于：各所述非挥发性晶体管的编程条件为：通过所述第一字线在所述非挥发性晶体管的栅极加负电压，通过对应的所述第一位线或第二位线在所述非挥发性晶体管的漏极加正电压，所述源线浮置，所述非挥发性晶体管的源极浮置，利用所述非挥发性晶体管的栅极和漏极之间的负电压和正电压差实现将空穴注入到所述非挥发性晶体管的浮栅中从而实现所述非挥发性晶体管的编程。

8.如权利要求6所述EEPROM存储器，其特征在于：各所述非挥发性晶体管的擦除条件为：通过所述第一字线在所述非挥发性晶体管的栅极加正电压，通过对应的所述第一位线或第二位线在所述非挥发性晶体管的漏极加负电压，所述源线浮置，所述非挥发性晶体管的源极浮置，利用所述非挥发性晶体管的栅极和漏极之间的正电压和负电压差实现将所述非挥发性晶体管的浮栅中所存储的空穴擦除。