[发明专利]NOR型存储器电路及操作方法在审

专利信息
申请号: 201310669476.X 申请日: 2013-12-10
公开(公告)号: CN104700893A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 张可钢;陈华伦 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/14;G11C16/26
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种NOR型存储器电路,该电路改进了传统的每一存储单元需使用一存储管配合一选择管的结构,使用两存储单元共用一选择管的结构,没存储2位数据即可节省一个选择管,简化电路结构,缩小了存储器芯片的面积。本发明还公开了所述NOR型存储器电路的操作方法。
搜索关键词: nor 存储器 电路 操作方法
【主权项】:
一种NOR型存储器电路,其特征在于:存储单元由3个晶体管组成,包含第一、第二存储管和一个选择管,所述第一、第二存储管的漏端接位线,其源端分别连接所述选择管的源、漏端;所述第一、第二存储管的栅极分别引出为第一、第二存储管字线,所述选择管的栅极引出为选择管字线;所述存储管的源端还分别引出存储单元的第一、第二源线端。
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