[发明专利]NOR型存储器电路及操作方法

权利要求书

1.一种NOR型存储器电路，其特征在于：存储单元由3个晶体管组成，包含第一、第二存储管和一个选择管，所述第一、第二存储管的漏端接位线，其源端分别连接所述选择管的源、漏端；所述第一、第二存储管的栅极分别引出为第一、第二存储管字线，所述选择管的栅极引出为选择管字线；所述存储管的源端还分别引出存储单元的第一、第二源线端。

2.如权利要求1所述的NOR型存储器电路，其特征在于：所述的存储管是使用浮栅结构的晶体管，或者是ONO结构的晶体管。

3.如权利要求1所述的NOR型存储器电路的操作方法，所述存储管是存储0或者1两种状态，分别对应于存储管的关断或者开启，或者是开启与关断；存储单元的操作分为擦除、编程及读取三种，擦除是使存储管处于0状态，编程是对存储管进行数据写入，写入数据包括0或1两种状态，读取是根据存储管的关断或开启来对存储管进行数据读取，VH表示高电平，VL表示低电平，Vd是系统电源电压；所述操作方法，对一存储单元中的两个存储管和一个选择管，其特征在于：

对第一存储管的操作：

擦除时：位线为高电平VH，第一存储管字线为地电位，第一源线为悬空态，选择管字线为地电位，第二源线为悬空态，第二存储管字线为高电平VH；

写入数据0时：位线为低电压VL，第一存储管字线为高电平VH，第一源线为悬空态，选择管字线为地电位，第二源线为悬空态，第二存储管字线为低电平VL；

写入数据1时：位线为地电位，第一存储管字线为高电平VH，第一源线为悬空态，选择管字线为地电位，第二源线为悬空态，第二存储管字线为低电平VL；

读取数据时：位线为电源电压Vd，第一存储管字线为地电位，第一源线为地电位，选择管字线为地电位，第二源线为悬空态，第二存储管字线为地电位；

对第二存储管的操作：

擦除时：位线为高电平VH，第一存储管字线为高电平VH，第一源线为悬空态，选择管字线为地电位，第二源线为悬空态，第二存储管字线为地电位；

写入数据0时：位线为低电平VL，第一存储管字线为低电平VL，第一源线为悬空态，选择管字线为地电位，第二源线为悬空态，第二存储管字线为高电平VH；

写入数据1时：位线为地电位，第一存储管字线为低电平VL，第一源线为悬空态，选择管字线为地电位，第二源线为悬空态，第二存储管字线为高电平VH；

读取数据时：位线为电源电压Vd，第一存储管字线为地电位，第一源线为悬空态，选择管字线为地电位，第二源线为地电位，第二存储管字线为地电位。

4.如权利要求3所述的NOR型存储器电路的操作方法，其特征在于：所述高电平VH是对存储管能进行隧穿操作的高电压，电压范围在7～20V；低电平VL是写入数据0时的保护电压，此电压下不发生隧穿，电压范围为高电平VH的0.25～0.7倍；电源电压Vd为1.8V，或3.3V，或5V。