[发明专利]NOR型存储器电路及操作方法在审
| 申请号： | 201310669476.X | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104700893A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张可钢;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nor 存储器 电路 操作方法 | ||
【说明书】：
技术领域
本发明涉及半导体器件设计领域，特别是指一种NOR型存储器电路，本发明还涉及所述NOR型存储器电路的操作方法。
背景技术
NOR结构的存储器通常采用两管结构，即每个存储单元由两只晶体管组成，一只存储管及一只选择管，能存储1位数据，存储2位数据则需要4只晶体管。其电路结构如图1所示，存储管与选择管串联连接，同一列的存储单元共用源线SL和位线BL（图中为存储单元1列的源线SL1和位线BL1），存储管1和存储管2的栅极分别对应于存储管字线WLM1、WLM2，选择管1和选择管2的栅极分别对应于选择管字线WL1、WL2。
上述存储器存储单元结构的操作方法如表1及表2所示，分别是对存储管1和存储管2的操作：
表1
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