[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种能够抑制裂缝的出现以及确保平坦性的高可靠性半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；元件区；以及非元件区。非元件区包括：形成在非元件区中的金属布线的顶层中的顶层金属布线；覆盖顶层金属布线的上表面的平坦化膜；以及形成在平坦化膜上的保护膜。其中去除了保护膜的去除部形成在非元件区的至少一部分中。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有主面；元件区，在该元件区中，光检测器形成在所述半导体衬底中；以及非元件区，所述非元件区形成在所述主面之上的所述元件区的外部，所述非元件区包括：顶层金属布线，所述顶层金属布线在所述非元件区中形成的金属布线的顶层中；平坦化膜，所述平坦化膜覆盖所述顶层金属布线的上表面；以及保护膜，所述保护膜形成在所述平坦化膜之上，其中，在所述非元件区的至少一部分中通过去除所述保护膜以及去除所述平坦化膜的上部来形成去除部，其中，在相反于所述半导体衬底的所述顶层金属布线的上表面的另一侧上，在所述平坦化膜的上表面的位置处，所述去除部包含有级差，其中，通过去除在所述去除部内的一部分所述平坦化膜来形成第一狭槽，以使得所述第一狭槽从所述平坦化膜的上表面的一部分开始并到达所述顶层金属布线的上表面，以及其中，所述第一狭槽的宽度相比于所述顶层金属布线的宽度而足够窄。