[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有主面；

元件区，在该元件区中，光检测器形成在所述半导体衬底中；以及

非元件区，所述非元件区形成在所述主面之上的所述元件区的外部，

所述非元件区包括：

顶层金属布线，所述顶层金属布线在所述非元件区中形成的金属布线的顶层中；

平坦化膜，所述平坦化膜覆盖所述顶层金属布线的上表面；以及

保护膜，所述保护膜形成在所述平坦化膜之上，

其中，在所述非元件区的至少一部分中通过去除所述保护膜以及去除所述平坦化膜的上部来形成去除部，

其中，在相反于所述半导体衬底的所述顶层金属布线的上表面的另一侧上，在所述平坦化膜的上表面的位置处，所述去除部包含有级差，

其中，通过去除在所述去除部内的一部分所述平坦化膜来形成第一狭槽，以使得所述第一狭槽从所述平坦化膜的上表面的一部分开始并到达所述顶层金属布线的上表面，以及

其中，所述第一狭槽的宽度相比于所述顶层金属布线的宽度而足够窄。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

从平面图来看，所述顶层金属布线围绕所述元件区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

从平面图来看，所述第一狭槽形成在所述顶层金属布线的外部，而不是到达所述顶层金属布线的所述上表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述去除部包括有第一狭槽，该第一狭槽从所述保护膜的上表面至少到达至所述顶层金属布线的所述上表面的深度，以及

其中，所述保护膜延伸至所述主面的端部。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第一狭槽形成在所述顶层金属布线的正上方。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第一狭槽形成在所述主面上的所述顶层金属布线的外部，而不是到达所述顶层金属布线的所述上表面。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，从平面图来看，所述第一狭槽沿所述元件区的边缘部分延伸，以及

其中，所述去除部进一步包括位于所述第一狭槽的外部的第二狭槽，从平面图来看，该第二狭槽在与所述第一狭槽相交的方向上延伸。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述保护膜的膜厚度是0.3μm或更小。

9.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下各步骤：

提供具有主面的半导体衬底；

形成元件区和非元件区，在所述元件区中，在所述半导体衬底中形成有光检测器，并且所述非元件区位于所述主面之上的所述元件区的外部；

在所述非元件区中形成顶层金属布线、平坦化膜以及保护膜，所述顶层金属布线在所述非元件区中形成的金属布线的顶层中，所述平坦化膜覆盖所述顶层金属布线的上表面，并且所述保护膜形成在所述平坦化膜之上；以及

在所述非元件区的至少一部分中通过去除所述保护膜以及去除所述平坦化膜的上部来形成去除部，以使得所述平坦化膜保留在所述非元件区中的所述顶层金属布线的表面之上，

其中，在相反于所述半导体衬底的所述顶层金属布线的上表面的另一侧上，在所述平坦化膜的上表面的位置处，所述去除部包含有级差，

其中，通过去除在所述去除部内的一部分所述平坦化膜来形成第一狭槽，以使得所述第一狭槽从所述平坦化膜的上表面的一部分开始并到达所述顶层金属布线的上表面，并且

其中，所述第一狭槽的宽度相比于所述顶层金属布线的宽度而足够窄。

10.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，从平面图来看，所述第一狭槽形成在所述顶层金属布线的外部，而不是到达所述顶层金属布线的所述上表面。