[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供了一种半导体装置及其制造方法。一示例装置可以包括绝缘体上半导体(SOI)衬底以及在SOI衬底上形成的第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件可以包括第一栅堆叠以及位于第一栅堆叠侧壁上的第一栅侧墙，第二半导体器件可以包括第二栅堆叠以及位于第二栅堆叠侧壁上的第二栅侧墙。该装置还可以包括在第一半导体器件和第二半导体器件之间形成的伪栅侧墙以及自对准于伪栅侧墙所限定的空间的隔离部，所述隔离部将第一半导体器件和第二半导体器件电隔离。

主权项

1.一种半导体装置，包括：绝缘体上半导体SOI衬底；在SOI衬底上形成的第一半导体器件和第二半导体器件，其中第一半导体器件包括第一栅堆叠以及位于第一栅堆叠侧壁上的第一栅侧墙，第二半导体器件包括第二栅堆叠以及位于第二栅堆叠侧壁上的第二栅侧墙，所述第一栅侧墙和第二栅侧墙的顶端的一部分被去除，形成台阶状结构，从而使得源/漏部不超出栅侧墙的顶面；在第一半导体器件和第二半导体器件之间形成的伪栅侧墙；以及自对准于伪栅侧墙所限定的空间的隔离部，所述隔离部将第一半导体器件和第二半导体器件电隔离，其中，SOI衬底包括基底衬底、埋入绝缘层以及SOI层，隔离部贯穿SOI层到达埋入绝缘层。