[发明专利]半导体静电放电保护装置在审
| 申请号： | 201310628550.3 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104681542A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈俞均;王畅资;唐天浩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体静电放电保护装置，包括：第一电性晶体管、第二电性阱区、第二电性保护环以及半导体间隔区。第一电性晶体管，形成于第二电性阱区之中。第二电性保护环，围绕第一电性晶体管。半导体间隔区，位于第一电性晶体管和第二电性保护环之间，并围绕第一电性晶体管，且半导体间隔区为无掺杂区、第一电性掺杂区或掺杂浓度小于第二电性阱区的第二电性掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
一种半导体静电放电保护装置，包括:第一晶体管具有第一电性，形成于一第二电性阱区之中；第二电性保护环，围绕该第一晶体管；以及半导体间隔区，位于该第一晶体管和该第二电性保护环之间，并围绕该第一晶体管，且该半导体间隔区为无掺杂区、第一电性掺杂区或掺杂浓度小于该第二电性阱区的第二电性掺杂区。
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