[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

一种非易失性存储器件可以包括形成在衬底之上的控制插塞。浮栅可以形成在衬底之上，浮栅包围控制插塞且通过间隙与控制插塞间隔开。第一电荷阻挡层可以形成在上述浮栅的侧壁上以填充上述间隙。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：隔离层，所述隔离层形成在衬底中以限定有源区；控制插塞，所述控制插塞形成在所述隔离层之上；浮栅，所述浮栅形成在所述隔离层之上并通过间隙而与所述控制插塞间隔开，并且所述浮栅在所述有源区之上延伸；结区，所述结区形成在所述有源区中，并且形成在所述浮栅的两侧上；接触插塞，所述接触插塞形成在所述结区之上；以及第一电荷阻挡层，所述第一电荷阻挡层形成在所述浮栅的侧壁之上以填充所述间隙，其中，所述控制插塞仅与所述隔离层相叠，而所述浮栅与所述隔离层和所述有源区两者都相叠，以及所述浮栅是弯曲的而具有沿第一方向延伸的第一部分和与所述第一部分接触且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二部分，其中所述浮栅的第一部分和第二部分分别面对所述控制插塞的不同侧壁。