[发明专利]低温多晶硅薄膜的制作方法在审
| 申请号： | 201310596975.0 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104658898A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王承贤;彭思君 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 201508 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法，包括：提供具有缓冲氧化层的玻璃基板；在缓冲氧化层之上依序形成非晶硅层和覆盖非晶硅层的保护层；对非晶硅层进行高温加热，并对非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；对多晶硅层执行光刻蚀工艺和离子掺杂工艺，形成栅极；在缓冲氧化层和多晶硅层之上形成栅极氧化层，形成多晶硅薄膜。相对于现有技术，本发明通过将非晶硅层和覆盖非晶硅层的保护层进行一次镀膜，将非晶硅层予以隔离，避免非晶硅层的界面因暴露于外界而与外界中的污染源结合，确保了器件稳定性，提高了器件的产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：提供具有缓冲氧化层的玻璃基板；在所述缓冲氧化层之上依序形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的保护层；对所述非晶硅层进行高温加热，并对所述非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；对所述多晶硅层执行光刻蚀工艺和离子掺杂工艺，形成栅极；在所述缓冲氧化层和所述保护层之上形成栅极氧化层，形成多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
