[发明专利]低温多晶硅薄膜的制作方法在审
| 申请号： | 201310596975.0 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104658898A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王承贤;彭思君 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 201508 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制作方法 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
提供具有缓冲氧化层的玻璃基板；
在所述缓冲氧化层之上依序形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的保护层；
对所述非晶硅层进行高温加热，并对所述非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；
对所述多晶硅层执行光刻蚀工艺和离子掺杂工艺，形成栅极；
在所述缓冲氧化层和所述保护层之上形成栅极氧化层，形成多晶硅薄膜。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述缓冲氧化层包括氮化硅层和位于所述氮化硅层之上的氧化硅层。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为至
4.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅层执行光刻蚀工艺包括：刻蚀掉部分的所述保护层和所述多晶硅层并显露出所述多晶硅层之下的所述缓冲氧化层，剩下的所述多晶硅层即作为栅极。
5.如权利要求1或4所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述保护层为氧化硅层。
6.如权利要求5所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为至
7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，在所述缓冲氧化层和所述保护层之上形成栅极氧化层之前还包括：对所述缓冲氧化层和所述保护层进行表面处理。
8.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，还包括：在所述栅极氧化层之上形成遮光金属层。
9.如权利要求1、7或8所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述栅极氧化层为氮化硅层。
10.如权利要求8所述的低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述遮光金属层为钼金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
