[发明专利]低温多晶硅薄膜的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，尤指一种低温多晶硅薄膜的制作方法。

背景技术

随着平面显示器技术的蓬勃发展，有源矩阵式有机发光显示器（Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED）因其具有更轻薄、自发光和高反应速率等优良特性，称为未来显示器发展的趋势。其可以包括依序形成在基板上的有源开关、绝缘层、透明电极、发光层和金属电极，其中，有源开关通过接触孔与透明电极连接，以控制图像数据的写入。目前，为适应AMOLED尺寸大型化的发展，有源开关通常采用低温多晶硅薄膜晶体管（Low Temperature Poly-silicon TFT，LTPS-TFT）作为像素开关控制元件；而用于制备LTPS-TFT的低温多晶硅薄膜的品质好坏与否对于LTPS-TFT的电性表现有着直接影响，因此，低温多晶硅薄膜的制作技术也越来越受到重视。

在现有技术中，低温多晶硅薄膜的制作方法一般包括：器件沟道的制作、掺杂制程、以及闸极电极的制作。因在低温多晶硅制作工艺中，会产生许多的界面在不同膜种之间，其中，又以器件沟道处的多晶硅与闸极绝缘层之界面最为重要。主要在于：一是沟道处多晶硅表面的状态会受到闲置时间长短而变化，直接会影响器件的特性如载子迁移率及电流；二是表面与环境中的污染源结合，其所吸附的污染源也较难控制，金属离子或有机酸性离子会造成器件的临界电压偏移，使得器件的特性不稳定，甚至无法达到产品设计的要求以及后续信赖性测试的不良。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法，用于解决现有技术中多晶硅界面暴露在外状态变化及与环境中的污染源结合而影响器件品质等问题。

实现上述目的的技术方案是：

本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法，包括：提供具有缓冲氧化层的玻璃基板；在所述缓冲氧化层之上依序形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的保护层；对所述非晶硅层进行高温加热，并对所述非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；对所述多晶硅层执行光刻蚀工艺和离子掺杂工艺，形成栅极；在所述缓冲氧化层和所述保护层之上形成栅极氧化层，形成多晶硅薄膜。

采用上述低温多晶硅薄膜的制作方法，通过将非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的保护层进行一次镀膜，将所述非晶硅层予以隔离，从而避免所述非晶硅层的界面因暴露于外界而与外界中的污染源结合，确保了后续通过将所述非晶硅层予以准分子激光退火后所形成的多晶硅层的器件稳定性，提高了器件的产品品质。

本发明一种低温多晶硅薄膜的制作方法的进一步改进在于：所述缓冲氧化层包括氮化硅层和位于所述氮化硅层之上的氧化硅层。

本发明一种低温多晶硅薄膜的制作方法的进一步改进在于：所述非晶硅层的厚度为至

本发明一种低温多晶硅薄膜的制作方法的进一步改进在于：对所述多晶硅层执行光刻蚀工艺包括：刻蚀掉部分的所述保护层和所述多晶硅层并显露出所述多晶硅层之下的所述缓冲氧化层，剩下的所述多晶硅层即作为栅极。

本发明一种低温多晶硅薄膜的制作方法的进一步改进在于：所述保护层为氧化硅层。

本发明一种低温多晶硅薄膜的制作方法的进一步改进在于：所述氧化硅层的厚度为至

本发明一种低温多晶硅薄膜的制作方法的进一步改进在于：在所述缓冲氧化层和所述保护层之上形成栅极氧化层之前还包括：对所述缓冲氧化层和所述保护层进行表面处理。

本发明一种低温多晶硅薄膜的制作方法的进一步改进在于：还包括在所述栅极氧化层之上形成遮光金属层。

本发明一种低温多晶硅薄膜的制作方法的进一步改进在于：所述栅极氧化层为氮化硅层。

本发明一种低温多晶硅薄膜的制作方法的进一步改进在于：所述遮光金属层为钼金属层。

附图说明

图1为本发明低温多晶硅薄膜的制作方法的流程示意图；

图2至图7为本发明低温多晶硅薄膜的制作方法在一个实施方式中多晶硅薄膜的形成过程的中间结构的剖面结构示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。