[发明专利]芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法

摘要

一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧向下刻蚀，形成台面，该台面的中心处有一通孔；在台面的通孔的上面制作N型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及两个通孔内蒸度铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层。本发明可以降低了发光二极管的封装成本，特别适合大尺寸功率型发光二极管的封装应用。

主权项

一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括一下步骤：步骤1：在衬底的表面用激光器打两个通孔；步骤2：在打有通孔的衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；步骤3：将蒸度二氧化硅膜保护膜的衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗腐蚀掉通孔侧壁激光烧蚀后的残余物；步骤4：清洗，去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；步骤5：在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤6：在ITO层上一侧向下刻蚀，刻蚀深度达到N型掺杂层内，形成台面，该台面的中心处有一通孔；步骤7：在台面的通孔的上面制作N型电极，该N型电极覆盖通孔；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极，该P型电极覆盖通孔；步骤8：在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；步骤9：在衬底背面及两个通孔内蒸度铬金引导层，该铬金引导层与N型电极和P型电极接触；步骤10：在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层，使P型电极和N型电极隔离，完成制备。