[发明专利]芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括一下步骤：

步骤1：在衬底的表面用激光器打两个通孔；

步骤2：在打有通孔的衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；

步骤3：将蒸度二氧化硅膜保护膜的衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗腐蚀掉通孔侧壁激光烧蚀后的残余物；

步骤4：清洗，去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；

步骤5：在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；

步骤6：在ITO层上一侧向下刻蚀，刻蚀深度达到N型掺杂层内，形成台面，该台面的中心处有一通孔；

步骤7：在台面的通孔的上面制作N型电极，该N型电极覆盖通孔；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极，该P型电极覆盖通孔；

步骤8：在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；

步骤9：在衬底背面及两个通孔内蒸度铬金引导层，该铬金引导层与N型电极和P型电极接触；

步骤10：在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层，使P型电极和N型电极隔离，完成制备。

2.根据权利要求1所述的芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，其中衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃。

3.根据权利要求1所述的芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，其中N型掺杂层的材料为N—GaN，厚度为1-5um。

4.根据权利要求1所述的芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，其中多量子阱发光层的材料为InGaN，厚度为50—500nm。

5.根据权利要求1所述的芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，其中P型掺杂层的材料为的材料为P-GaN，厚度为200-500nm。

6.根据权利要求1所述的芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，其中ITO层的材料为95％的InO₂，5％SnO₂，厚度为10-1000nm。

7.根据权利要求1所述的芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，其中绝缘层的材料为二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，其中衬底上通孔的直径为20—200μm。

9.根据权利要求1所述的芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，其中浓硫酸和浓磷酸混合液的浓硫酸：浓磷酸=3：1，温度为200—330℃，腐蚀时间为2—10小时。