[发明专利]植物补光发光二极管的制作方法

摘要

一种植物补光发光二极管的制作方法，包括在衬底的表面打通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底清洗；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧及中间向下刻蚀，形成第一台面和第二台面，该第一、第二台面的中心处有一通孔；制作N型电极；制作P型电极；在ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及通孔内蒸度铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，形成两个独立的芯片；用一丝网固定在其中的一个芯片表面，遮挡芯片；涂覆荧光粉；烘烤，完成制备。本发明的芯片上能解决植物光合作用需求的光。比原来植物生长LED光源大大节约成本和能量。

主权项

一种植物补光发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底的表面用激光器打四个通孔；步骤2：在打有通孔的衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；步骤3：将蒸度二氧化硅膜保护膜的衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗腐蚀掉通孔侧壁激光烧蚀后的残余物；步骤4：清洗，去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；步骤5：在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤6：在ITO层上一侧及中间向下刻蚀，刻蚀深度达到N型掺杂层内，形成第一台面和第二台面，该第一台面的中心处有一通孔，该第二台面的中心处有一通孔；步骤7：在第一、第二台面的通孔的上面制作N型电极，该N型电极覆盖通孔；在第一、第二台面一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极，该P型电极覆盖通孔；步骤8：在第一、第二台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；步骤9：在衬底背面及四个通孔内蒸度铬金引导层，该铬金引导层与N型电极和P型电极接触；步骤10：在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层，使P型电极和N型电极隔离，形成两个独立的芯片；步骤11：用一丝网固定在其中的一个芯片表面，遮挡芯片；步骤12：在遮挡有丝网的表面，涂覆610mm‑720nm波长的荧光粉；步骤13：烘烤，烘烤时间为30分钟以上，温度为150度，完成制备。