[发明专利]植物补光发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种植物补光发光二极管的制作方法，包括以下步骤：

步骤1：在衬底的表面用激光器打四个通孔；

步骤2：在打有通孔的衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；

步骤3：将蒸度二氧化硅膜保护膜的衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗腐蚀掉通孔侧壁激光烧蚀后的残余物；

步骤4：清洗，去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；

步骤5：在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；

步骤6：在ITO层上一侧及中间向下刻蚀，刻蚀深度达到N型掺杂层内，形成第一台面和第二台面，该第一台面的中心处有一通孔，该第二台面的中心处有一通孔；

步骤7：在第一、第二台面的通孔的上面制作N型电极，该N型电极覆盖通孔；在第一、第二台面一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极，该P型电极覆盖通孔；

步骤8：在第一、第二台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；

步骤9：在衬底背面及四个通孔内蒸度铬金引导层，该铬金引导层与N型电极和P型电极接触；

步骤10：在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层，使P型电极和N型电极隔离，形成两个独立的芯片；

步骤11：用一丝网固定在其中的一个芯片表面，遮挡芯片；

步骤12：在遮挡有丝网的表面，涂覆610mm-720nm波长的荧光粉；

步骤13：烘烤，烘烤时间为30分钟以上，温度为150度，完成制备。

2.根据权利要求1所述的植物补光发光二极管的的制作方法，其中衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃；通孔数量为4-20。

3.根据权利要求1所述的植物补光发光二极管的的制作方法，其中N型掺杂层的材料为N-GaN，厚度为1-5um。

4.根据权利要求1所述的植物补光发光二极管的的制作方法，其中多量子阱发光层的材料为InGaN，厚度为50-500nm。

5.根据权利要求1所述的植物补光发光二极管的的制作方法，其中P型掺杂层的材料为P-GaN，厚度为200-500nm。

6.根据权利要求1所述的植物补光发光二极管的的制作方法，其中ITO层的材料为95％的InO₂或5％SnO₂、厚度为10-1000nm。

7.根据权利要求1所述的植物补光发光二极管的的制作方法，其中绝缘层的材料为二氧化硅，厚度为0.001-1000μm。

8.根据权利要求1所述的植物补光发光二极管的的制作方法，其中衬底上通孔的直径为20-200μm。

9.根据权利要求1所述的植物补光发光二极管的制作方法，其中浓硫酸：浓磷酸＝3：1，腐蚀温度为200-330℃，腐蚀时间为2-10小时。