[发明专利]一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310563319.0 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103628004A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黄平;王飞;陈自强;徐可为 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C22C45/04 | 分类号： | C22C45/04;C23C14/35;C23C14/58;C22F1/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 发明公开了一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其是将磁控溅射沉积态的纳米晶NiW合金薄膜置于真空退火炉中低温退火制备出近乎完全非晶化的NiW合金薄膜。该方法简单、易行，避免了传统金属非晶材料制备方法所需的极大的淬火速度。该方法采用可靠的真空退火和双靶磁控溅射技术，可重复性高，可操作性强，成本低，易于在工业上实现和推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 低温 退火 制备 niw 合金 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，将纳米晶NiW合金薄膜置于真空退火炉中，通过低温退火制备非晶NiW合金薄膜。
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