[发明专利]一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法

权利要求书

1.一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，将纳米晶NiW合金薄膜置于真空退火炉中，通过低温退火制备非晶NiW合金薄膜。

2.根据权利要求1所述的采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，所述纳米晶NiW合金薄膜磁控溅射共沉积制备所得。

3.根据权利要求1或2所述的采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，所述纳米晶NiW合金薄膜及非晶NiW合金薄膜成份均为Ni₇₇W₂₃。

4.根据权利要求1、2或3所述的采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

1）将单面抛光单晶硅基片分别用丙酮和酒精超声30分钟，吹干，放入真空磁控溅射设备的可旋转基体支撑架上，准备镀膜；

2）将Ni金属源靶材安置在A号靶材座上作为A号靶，并将W金属源靶材安置在B号靶材座上作为B号靶，工作时，首先使基体旋转，然后真空室抽真空，通入Ar气至真空室；开始共沉积，通过调节电流、电压来改变溅射功率控制Ni和W的原子配比，调节沉积时间来控制薄膜厚度，这样同时沉积并制备出纳米晶NiW合金薄膜；

3）将磁控溅射沉积制备的纳米晶NiW合金薄膜置于退火炉中，然后将炉中气压抽至1×10^-3Pa，调节退火温度至473K，设置退火时间为1小时，退火结束后炉冷至室温。

5.根据权利要求4所述的采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，步骤2）中，基体旋转的转速为1圈/分钟；所述真空室抽真空至气压为5×10^-4Pa，然后真空室内通入Ar气，使气压为3×10^-1Pa。

6.根据权利要求4所述的采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，溅射靶材的纯度均大于99.95%。

7.根据权利要求4所述的采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，步骤2）中，所述A号靶选用直流脉冲电源，溅射功率为124W，沉积速率为8-10nm/min。

8.根据权利要求4所述的采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，步骤2）中，所述B号靶选用直流脉冲电源，溅射功率为65W，沉积速率为1-2nm/min。

9.根据权利要求4所述的采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，共沉积时A号靶的直流磁控溅射电压为325V；B号靶的直流磁控溅射电压为350V，负偏压为100V，基体与靶材的距离为8-10cm。

10.根据权利要求4所述的采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其特征在于，通过调节电流、电压来改变溅射功率控制Ni和W的原子配比，使其达到Ni₇₇W₂₃。