[发明专利]基板的粘结及分离的方法有效
| 申请号： | 201310558036.7 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103560075A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 孙硕阳;黄婉真;林威廷;郑君丞 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种基板的粘结及分离的方法，包含以下步骤：提供基板；形成第一硅胶层于基板的离型区以及形成第二硅胶层于基板的周边区，其中，第一硅胶层及第二硅胶层分别包含相同的硅胶主剂以及相同的硅胶硬化剂，且第一硅胶层的硅胶主剂与硅胶硬化剂的体积比为约12∶1至约15∶1，第二硅胶层的硅胶主剂与硅胶硬化剂的体积比为约1∶1至约5∶1；贴合对向基板至第一硅胶层及第二硅胶层；固化第一硅胶层及第二硅胶层，以粘结基板与对向基板；以及将基板的一部分与对向基板分离。 | ||
| 搜索关键词： | 粘结 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种基板的粘结及分离的方法，包含：提供一基板，该基板具有一离型区以及一周边区围绕该离型区；形成一第一硅胶层于该离型区以及形成一第二硅胶层于该周边区，其中该第一硅胶层及该第二硅胶层分别包含相同的一硅胶主剂以及相同的一硅胶硬化剂，且该第一硅胶层的该硅胶主剂与该硅胶硬化剂的体积比为约12:1至约15：1，该第二硅胶层的该硅胶主剂与该硅胶硬化剂的体积比为约1:1至约5：1；贴合一对向基板至该第一硅胶层及该第二硅胶层；固化该第一硅胶层及该第二硅胶层，以粘结该基板与该对向基板；以及将该基板的一部分与该对向基板分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
