[发明专利]基板的粘结及分离的方法有效
| 申请号: | 201310558036.7 | 申请日: | 2013-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN103560075A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
| 发明(设计)人: | 孙硕阳;黄婉真;林威廷;郑君丞 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 粘结 分离 方法 | ||
1.一种基板的粘结及分离的方法,包含:
提供一基板,该基板具有一离型区以及一周边区围绕该离型区;
形成一第一硅胶层于该离型区以及形成一第二硅胶层于该周边区,其中该第一硅胶层及该第二硅胶层分别包含相同的一硅胶主剂以及相同的一硅胶硬化剂,且该第一硅胶层的该硅胶主剂与该硅胶硬化剂的体积比为约12:1至约15:1,该第二硅胶层的该硅胶主剂与该硅胶硬化剂的体积比为约1:1至约5:1;
贴合一对向基板至该第一硅胶层及该第二硅胶层;
固化该第一硅胶层及该第二硅胶层,以粘结该基板与该对向基板;以及
将该基板的一部分与该对向基板分离。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该基板与该对向基板的其中一者为一可挠性基板,另一者为一刚性基板。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,分离该基板的该部分与该对向基板的步骤包含:将该基板位于该离型区的一部分与该对向基板分离。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该基板为一可挠性基板,且该对向基板为一刚性基板。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,在分离该基板的该部分与该对向基板的步骤前,更包含:形成一切割道于该可挠性基板上,且该切割道位于该离型区内或介于该离型区与该周边区之间。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,在固化该第一硅胶层及该第二硅胶层之后,更包括:形成一半导体元件于该可挠性基板上。
7.如权利要求4所述的方法,其特征在于,在固化该第一硅胶层及该第二硅胶层之后,更包括:形成一彩色滤光层于该可挠性基板上。
8.如权利要求4所述的方法,其特征在于,贴合该对向基板至该第一硅胶层及该第二硅胶层的步骤包括:使用一滚筒将该可挠性基板滚压到该刚性基板上。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该基板具有可挠性,且该基板的该周边区包含一第一周边区以及一第二周边区,分别位于该基板的相对两侧,且其中形成在该第二周边区的该第二硅胶层的总量大于形成在该第一周边区的该第二硅胶层的总量。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,贴合该对向基板至在该第一硅胶层及该第二硅胶层的步骤包括:使用一滚筒将形成有该第一硅胶层和该第二硅胶层的该基板,以该第一周边区的一侧为起点,将该基板滚压到该对向基板。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,贴合该对向基板至该第一硅胶层及该第二硅胶层的步骤包括:在该第一硅胶层与该第二硅胶层之间形成连续性的一组成过渡区。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成该第一硅胶层于该离型区以及形成该第二硅胶层于该周边区的步骤包含:使用一喷嘴将该第一硅胶层喷涂到该离型区,以及使用另一喷嘴将该第二硅胶层喷涂到该周边区。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成该第一硅胶层于该离型区以及形成该第二硅胶层于该周边区的步骤中,该第一硅胶层仅覆盖该离型区的一部分,且该第二硅胶层仅覆盖该周边区的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





