[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201310553351.0 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103811623B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 金省均;范熙荣;朱炫承;崔炳然 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王萍,李春晖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种发光器件，该发光器件包括衬底、彼此分离并且被布置在衬底上的多个发光单元、以及电连接两个相邻的发光单元的多个导电互连层。每个发光单元包括发光结构，发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一电极；第二电极；以及蚀刻区域，发光结构还包括第一侧表面和第二侧表面，以及如果在第一侧表面和第二侧表面之间的宽度被定义为W，第二电极被布置在距第一侧表面的位置和距发光结构的第一侧表面的位置之间的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：衬底；彼此分离并且被布置在所述衬底上的多个发光单元；以及电连接两个相邻的发光单元的多个导电互连层，其中，所述多个发光单元中的每个发光单元包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；布置在所述第一导电型半导体层上的第一电极；布置在所述第二导电型半导体层上的第二电极；以及通过对所述发光结构进行部分蚀刻而形成的其中所述第一导电型半导体层被暴露的蚀刻区域，其中，所述发光结构还包括与所述第二电极邻近并且与所述第二电极平行的第一侧表面，和与所述第一侧表面相对并且与所述蚀刻区域接触的第二侧表面，以及如果从顶部看在所述第一侧表面和所述第二侧表面之间的宽度被定义为W，所述第二电极被布置在距所述发光结构的所述第一侧表面的位置和距所述发光结构的所述第一侧表面的位置之间的区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310553351.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
