[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年11月9日在韩国递交的韩国专利申请No.10-2012-0126523的优先权，此处通过引用而全部合并到本申请中就像此处完全阐述一样。

技术领域

实施方式涉及发光器件。

背景技术

由于薄膜生长技术和器件材料的发展，如使用第III-V或II-VI族化合物半导体材料的发光二极管或激光二极管的发光器件生成各种颜色比如红、绿、蓝的光和紫外光，并且使用荧光材料或通过颜色混合生成具有高效能的白光。此外，与如荧光灯和白炽灯的传统光源相比较，发光器件呈现出低功耗、半永久性使用期、快速响应时间、安全和生态友好性。

因此，发光器件被越来越多地应用到光通信单元的传输模块，取代构成液晶显示器（LCD）设备的背光源的冷阴极荧光灯（CCFL）的发光二极管背光源，使用白色发光二极管取代荧光灯或白炽灯、车辆前照灯和交通灯的照明装置上。

如果是卧式发光器件，包括n型GaN层、有源层、p型GaN层的发光结构通常堆叠在蓝宝石衬底上。由于卧式发光器件的特性，n电极和p电极被水平形成并且可以导致高电流扩展电阻。即使在其中多个发光单元串联或并联连接的发光器件中，也会发生这种问题。因此，为了提高电流扩展，n电极和p电极的位置需要被优化。

发明内容

实施方式提供了一种其中电流扩展被提高的发光器件。

在一个实施方式中，一种发光器件包括衬底、彼此分离并且被布置在衬底上的多个发光单元、以及电连接两个相邻的发光单元的多个导电互连层，其中，多个发光单元中的每个发光单元包括：发光结构，发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；布置在第一导电型半导体层上的第一电极；布置在第二导电型半导体层上的第二电极；以及通过对发光结构进行部分蚀刻而形成的其中第一导电型半导体层被暴露的蚀刻区域，其中发光结构还包括与第二电极邻近并且与第二电极平行的第一侧表面，和与第一侧表面相对并且与蚀刻区域接触的第二侧表面，以及如果从顶部看在第一侧表面和第二侧表面之间的宽度被定义为W，第二电极被布置在距发光结构的第一侧表面的位置和距发光结构的第一侧表面的位置之间的区域中。

第二电极可以被布置在与第一侧表面平行的第一方向上，以及多个导电互连层中的至少一个导电互连层可以被布置在第一方向上。

第二电极可以被布置在与第一侧表面平行的第一方向上，以及多个导电互连层中的至少一个导电互连层可以被布置在与第一方向不同的第二方向上。

第二电极可以包括被布置在与第一侧表面平行的第一方向上的第一部分以及被布置在与第一方向不同的第二方向上的第二部分。

多个导电互连层中的至少一个导电互连层的一端可以与第二部分重叠。

多个导电互连层中的一个导电互连层可以连接两个相邻的发光单元中的一个发光单元的第一电极和所述两个相邻的发光单元中的另一个发光单元的第二电极。

多个导电互连层可以被设置在两个相邻的发光单元之间。

发光器件还可以包括被布置在多个发光单元中的每个发光单元的侧表面上的绝缘层，并且绝缘层可以电隔离两个相邻的发光单元和/或多个导电互连层与多个发光单元。

第二部分的至少一部分可以从在距发光结构的第一侧表面的位置和距发光结构的第一侧表面的位置之间的区域偏离。

多个导电互连层可以串联或并联地连接多个发光单元。

第二侧表面可以被布置在与蚀刻区域成预定角度处。

布置在发光单元上的一部分导电互连层的宽度可以小于布置在两个相邻的发光单元之间的一部分导电互连层的宽度。

一个发光单元的第一电极可以被布置在该发光单元的边缘处。

与该发光单元相邻的另一发光单元的第二电极可以被布置在与该发光单元的第一电极被布置在其上的线所不同的线上。

与被布置在第一方向上的至少一个导电互连层相接触的发光单元的第一电极可以包括弯曲部分。

在多个导电互连层所在的区域中的相邻的发光单元的排列方向可以不同于在其他区域中的相邻的发光单元的排列方向。

第二电极的第一部分的长度可以大于第二电极的第二部分的长度。

多个导电互连层可以被布置在第一方向上和不同于第一方向的第二方向上。