[发明专利]一种超势垒自偏置整流二极管在审
| 申请号： | 201310537560.6 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104600126A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 魏峰;唐红祥 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超势垒自偏置整流二极管，包括：垂直双扩散金属氧化物半导体器件和多晶电阻，其中，所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的栅极与源极通过所述多晶电阻连接。本发明通过将形成超势垒自偏置整流二极管的垂直双扩散金属氧化物半导体器件的栅极与源极经多晶电阻连接，利用多晶电阻的负反馈作用，增强垂直双扩散金属氧化物半导体器件的栅极对沟道导通能力的控制，从而可以实现较小的反向漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超势垒 偏置 整流二极管 | ||
【主权项】：
一种超势垒自偏置整流二极管，其特征在于，包括：垂直双扩散金属氧化物半导体器件和多晶电阻，其中，所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的栅极与源极通过所述多晶电阻连接。
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